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1986年8卷2期

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论文
波在暖电离层中的传播和耦合
王贞松
1986, 8(2): 81-94 .
[摘要](1108) [PDF 2016KB](435)
摘要:
本文研究了波在暖电离层中的传播。文中导出了用拆射率n表示的波的色散关系,并由此推导出分层暖电离层中q的方程。所有这些方程都被用于用射线方法研究波在暖电离层中的传播,模式联接和波的线性耦合。 本文还讨论了波方程的奇点、等离子体波与电磁波的耦合。在波耦合区中,波的场可以通过求解波方程在奇点附近的解而求得。文中比较了用射线方法和全波方程研究波耦合时电波传播的结果。 本文所得结果对研究用无线电波加热电离层实验中的吸收区域是有用的。
电子出现势能谱中伴峰的研究
吴锦雷, 叶青, 孙夏安
1986, 8(2): 95-103 .
[摘要](1332) [PDF 1542KB](370)
摘要:
本文对钛和镍的电子出现势谱中存在的伴峰进行了探讨。用原子能级多重分裂理论和微扰理论,经过计算得到了伴峰相应能级值,并画出了理论曲线。所得理论曲线与实验曲线基本相符合。
双注入型磁敏二极管的设计
黄得星
1986, 8(2): 104-109 .
[摘要](1143) [PDF 879KB](406)
摘要:
本文探讨了在P+IN+型长二极管的一个侧面设置高复合区的锗磁敏二极管的设计,给出了选择长度(l)、厚度(d)、宽度(w)和电阻率()的最佳设计关系式: /w(l/d)310.75(△T)2/I03Rth2,式中 △T为磁敏二极管的最大温升,Rth为管子的热阻,I0为通过管子的偏流。
螺旋型慢波偏转系统参量的计算
李志能, 邹红武
1986, 8(2): 110-118 .
[摘要](1065) [PDF 1252KB](413)
摘要:
本文提出了计算慢波偏转系统中电位分布、电子轨迹、偏转参量的方法。电位分布在数值计算的基础上,以解析表达式近似。计算结果与实际管子的特性很好地吻合,表明本方法适用于工程设计。
透射式多碱光阴极厚度的研究
高鲁山
1986, 8(2): 119-124 .
[摘要](1246) [PDF 1049KB](354)
摘要:
透射式光阴极的厚度,直接影响光阴极的光电子发射效率和光谱响应。本文讨论了光学吸收和光电子逸出深度与多碱光阴极厚度的关系;从理论上分析了透射式多碱光阴极的最佳厚度。并提出了确定最佳厚度的监测和计算方法。最后给出了多碱光阴极在几个给定工作波长的最佳厚度。
用矩量法计算任意导体截面和介质填充的TEM传输线的特性阻抗
杨乃恒
1986, 8(2): 125-134 .
[摘要](1676) [PDF 1763KB](475)
摘要:
本文利用矩量法计算任意截面和介质填充的TEM传输线的特性阻抗,公式的导出基于二维静电场的分析。电荷分布用脉冲函数展开,用点匹配检验。给出了一些数值例子,其中的一些结果还与用其它方法求得的结果作了比较,表明符合得较好。
学术讨论
对傅氏等实现麦克斯韦设想的研究工作的分析
王欲知
1986, 8(2): 135-141 .
[摘要](1428) [PDF 1985KB](511)
摘要:
1979年,上海交通大学学报发表了傅信镛等同志关于实现麦克斯韦设想的理论探讨及实验结果,作者宣称已经获得了一个永恒的电流,也就是实现了第二类永动机。交大学报在编者按中希望引起有关学术界的广泛讨论并予以检验。 本文对傅氏等的研究进行分析,得到了下述结论:(1)傅氏实验中,磁场控制的是电子集团的流动,并没有将电子分为高速的与低速的两类,故它不是司门小妖。整个实验中进行的是极大量粒子的集体流动过程,这完全属于热力学的管辖领域;(2)傅氏装置中出现的电流,其实是真空二极管中的初速电流;(3)初速电流实际上是改变了形式的汤姆生热电效应,它需要一个热库与一个冷库,完全遵从热力学第二定律;(4)磁场的作用只是通过控制电子的集团运动,使装置中出现些微的整流作用。没有这个整流作用,初速电子流将相互抵消而不能形成电流。
答用摄动法定量研究二阶锁相环的非线性性能一文的商榷
路益蕙
1986, 8(2): 142-144 .
[摘要](1306) [PDF 528KB](250)
摘要:
本文就作者曾发表的文章(1982)中主要论述的问题锁相环处于失锁状态时它对压控振荡器中线性调频的影响作进一步讨论,以澄清商榷一文(1985)中某些模糊概念。
研究简报
阿几米德双模螺旋馈源的自跟踪反射镜遥感天线
周文甫, 王国英, 章日荣
1986, 8(2): 145-150 .
[摘要](1615) [PDF 856KB](392)
摘要:
本文介绍了阿几米德双模螺旋馈源的自跟踪反射镜遥感天线。对该天线进行了理论分析计算和实测,结果是理论值与实测值相符,表明该天线用于遥感是很有优越性的。
自由电子脉塞用超导磁体系统
张永, 高广箴, 王子凯, 王淑媛, 乔秀芬, 赵宝志, 廖正久, 乔郁芳
1986, 8(2): 151-154 .
[摘要](1310) [PDF 612KB](365)
摘要:
正 一、前言 众所周知:自由电子脉塞的波长与磁场强度有如下关系:10.7B0式中为波长(单位为mm),B0为磁场强度(单位为T)。例如4mm波长自由电子脉塞要求2.65T的磁场;2mm波长则要求5.3T的磁场。即波长愈短要求磁场愈强。目前,美苏等国在发展短波长,大功率自由电子脉塞方面,广泛采用超导磁体。我国在使用常规磁
用紫外光表面处理方法清除砷化镓表面的碳氢化合物
谈凯声, 李建平
1986, 8(2): 155-157 .
[摘要](1212) [PDF 550KB](358)
摘要:
正 1.引言 获得一个洁净的表面对Ⅲ-Ⅴ族化合物光电阴极、薄膜科学、热压粘结、半导体外延技术以及其它现代表面工艺是至关重要的。物体表面吸附的污染物是各种各样的。最常见的是氧化物、碳氢化合物和各种气体。为了清除这些吸附物,人们曾采取多种措施,如用各种化学溶剂清洗、真空加热清洁、电子轰击、等离子体轰击以及氩离子溅射等等。这些清洁方法都各起其特有的作用。如化学溶剂和真空加热清洁方法,能
低频外电极气体放电特性的观测
凌一鸣
1986, 8(2): 158-160 .
[摘要](1077) [PDF 631KB](338)
摘要:
正 1.引言 要使由绝缘器壁构成的密闭容器内的气体产生放电,可以用高频电磁场来激励,这就是众所周知的高频无极放电。在同样条件下,用低频电源代替上述高频电源也能产生放电,但这是另一种放电,这里称它为低频外电极放电。本文介绍了对低频外电极放电现象的观测,给出了这种放电的宏观特性,并展望了这种放电的可能应用

1979年创刊 月刊

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主管单位:中国科学院

主办单位:中国科学院电子学研究所
国家自然科学基金委员会信息科学部

主  编:吴一戎

ISSN 1009-5896  CN 11-4494/TN

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