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1987年9卷5期

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论文
广义散射参数及其应用
顾墨琳
1987, 9(5): 385-394 .
[摘要](1673) [PDF 1554KB](1107)
摘要:
本文阐明微波网络中功率波、可交换功率、功率波反射系数和广义散射参数等的物理概念,并加以推广。通过若干应用实例说明上述工具对处理微波有源网络(特别是包含负阻电路)问题的有效性。
一个开关电容电路的模拟和优化程序
陆跃, 沈永朝
1987, 9(5): 395-403 .
[摘要](1158) [PDF 1529KB](407)
摘要:
本文介绍了一个以分析开关电容(SC)电路为目的面向用户的通用程序。该程序可以完成对SC电路的时域、频域和灵敏度模拟,可以对SC电路进行多目标优化,并可以求得SC电路的传输极点,且对电路的输入信号、开关序列、网络拓扑没有限制,文中提出了在改进节点法基础上求出电路传输极点的方法,以贡献的方式建立求传输函数对电容比的灵敏度方程,通过线性变换求得对电容比的灵敏度的方法和SC电路的多目标优化方法。最后给出了用该程序对SC电路进行模拟和优化的两个算例。
高准确度对数函数电路的探讨和实现
孔俊宝
1987, 9(5): 404-412 .
[摘要](1183) [PDF 1532KB](550)
摘要:
本文叙述了一个具有高准确度的对数函数和通带较宽的对数放大器。该放大器用RC充放电的指数函数和脉宽调制的方法,提高了对数函数的准确度,从而可以解决天文、宇航、精确测量和通信等方面的很多关键问题。 根据RC充放电电压与时间的指数关系,再将时间用脉冲调制转换成电压,就构成了输入输出的对数关系。使用取样定理、香农基础信道容量公式和多级放大带宽公式等,对该系统进行了理论分析。搭试了一个具体电路,取得了系统特性数据,证实了该系统的对数函数准确度可达99%以上。
相关高斯噪声自适应非参量检测器
陆林根
1987, 9(5): 413-419 .
[摘要](1251) [PDF 1089KB](414)
摘要:
本文讨论了相关高斯噪声自适应非参量检测器。当输入噪声的采样满足独立、同分布(IID)条件时,不管分布是什么形式,非参量检测器均能保持虚警概率恒定(CFAR)。但是,许多类噪声并不能保持IID条件,检测器也就无法保持CFAR。本文提出一种简单、可行的自适应非参量检测器,能自动调节门限,使虚警概率(Pfa)趋于恒定。这种方法的关键在于用递归滤波器的输出值来测量噪声的相关系数(Pd),并由此改变秩值检测器的检测单元的权,使其Pfa趋于恒定。从而使在一定信噪比条件下发现概率(Pd)也趋于恒定。本文给出检测单元加权的非参量检测器的检测性能和渐近性能,然后还给出自适应非参量检测器的近似计算方法和计算机模拟结果。
Si(100)和(111)面和在其上Ni分子束外延的反射高能电子衍射研究
高铭台
1987, 9(5): 420-427 .
[摘要](1370) [PDF 1527KB](1486)
摘要:
以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)77以及它的负区衍射图,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.150.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。
液相外延HgCdTe的研究
王雷, 高鼎三, 吴仰贤
1987, 9(5): 428-434 .
[摘要](1251) [PDF 1249KB](449)
摘要:
本文对液相外延生长HgCdTe及其汞压控制进行了研究。在理论上对开管滑动系统中汞损失的影响作了分析和计算,提出了准平衡汞压的方法。在实验中设计制作了独特的汞回流装置,实现了对汞压的控制。通过生长工艺的条件实验,得到了各工艺参数影响外延片性能的关系,制备出表面光亮,组分为x=0.2110.002,x=0.280.001的Hg1-xCdxTe外延片。在77K下n型(未退火)和P型外延片的迁移率分别为3.36105cm2/Vs和1.81103cm2/Vs,载流子浓度分别为1.091015cm-3和1.041016cm-3。
InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究
张桂成, 沈彭年
1987, 9(5): 435-440 .
[摘要](1172) [PDF 1032KB](319)
摘要:
用红外电视选行扫描仪观察由不同P型掺杂剂的外延片制成的InGaAsP/InP双异质结发光管的暗缺陷,并研究了它的来源。比较了P型掺杂剂的种类和掺杂浓度对暗结构的影响。结果表明,掺Mg和掺In-Zn合金与重掺Zn器件相比,暗结构比例明显降低。Zn可能是暗缺陷的重要来源之一。器件在70℃,85℃条件下老化2000小时后,老化前无暗缺陷的某些器件亦有暗结构产生,但其生长率很慢。
双重入腔的场计算
李镇淮, 宋文淼
1987, 9(5): 441-450 .
[摘要](1103) [PDF 1311KB](342)
摘要:
本文用经典的场匹配方法计算了双重入腔的本征频率。结果表明对于漂移咀规则的重入腔,采用分区场匹配的经典方法仍有明显的优点,它既可以保证很高的精度,又只需要很少的计算量。
用于探测能量为0.110keV光子的夹心结构CsI光阴极
谈凯声
1987, 9(5): 451-457 .
[摘要](1136) [PDF 1758KB](532)
摘要:
为了稳定而有效地探测能量范围在0.110keV之间的软X射线,研制并优化了一种高低密度夹心结构的透射式CsI光阴极。它的光子探测效串大约是高密度透射式CsI光阴极的110倍。所测得的光电发射次级电子能量分布曲线与高密度CsI光阴极类似,半极限值的全宽度(FWHM)不到2eV。由于它的量子效率高而次级电子能量分布范围相当窄,这种夹心结构透射式CsI光阴极广泛地应用于软X射线探测器和计数器,特别是软X射线条纹摄相管。
微波放电等离子体源的研究
吴锦发, 张二力, 甄汉生, 管祚尧
1987, 9(5): 458-464 .
[摘要](1221) [PDF 1032KB](1247)
摘要:
利用电子迴旋共振(ECR)的原理,在10-310-1Pa的低压强下,已成功地产生了高活性,高密度的微波等离子体。运用静电探针装置,研究了N2、Ar放电中微波功率、气体压强对等离子体参量的影响,并对放电等离子体进行了质谱分析。
研究简报
回旋管输出窗频率特性的研究
罗积润, 徐承和, 张世昌, 洪文洁
1987, 9(5): 465-468 .
[摘要](1217) [PDF 678KB](364)
摘要:
本文对回旋管输出窗系统的传输特性进行了理论研究,给出了圆波导径向突变的模式散射的近似公式,研究了输出窗对工作模式的反射和寄生模式的散射的频率响应。实验证实分析是合理的。
铅玻璃微通道板芯料的腐蚀和扫描电镜检测
文宛生
1987, 9(5): 469-472 .
[摘要](1310) [PDF 900KB](322)
摘要:
本文用亲电性腐蚀液、静置腐蚀法腐蚀实芯丝铅玻璃微通道板的芯料,并用扫描电镜和X射线能谱仪分析其形貌和化学成份。结果表明,用本腐蚀法可获得内壁光滑、增益高、噪声低的通道板。 文中还提出了一种测量腐蚀速度的新方法。测量结果可靠、重复性好。
用堆集掩模技术制造变厚超导微桥
时贤庆, 杨彩炳, 祁宜芝, 曹效能, 马金娣, 黄继章
1987, 9(5): 473-476 .
[摘要](1149) [PDF 742KB](400)
摘要:
本文介绍了一种制作变厚超导微桥的新方法。用此方法变厚超导微桥通过一次光刻、用三个坩埚、不必打开镀膜机就能制成。利用普通接触式紫外曝光设备和斜蒸发技术,使桥区达到亚微米尺寸。并获得了无迴滞的直流I-V特性。
电子束成象制作图形的新方法探索
孙毓平
1987, 9(5): 477-480 .
[摘要](1103) [PDF 682KB](345)
摘要:
本文介绍了利用电子束成象在硅衬底上的薄二氧化硅膜中制作图形的一种新方法。所得的电子象,利用聚脂型反应媒介物并通过氢氟酸汽相腐蚀,不仅可以在二氧化硅膜上形成正图形,而且可以形成负图形。

1979年创刊 月刊

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主管单位:中国科学院

主办单位:中国科学院电子学研究所
国家自然科学基金委员会信息科学部

主  编:吴一戎

ISSN 1009-5896  CN 11-4494/TN

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