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1988年10卷3期

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论文
FIR数字滤波器的简化格型实现
张玉洪, 保铮
1988, 10(3): 193-201 .
[摘要](1684) [PDF 1386KB](490)
摘要:
格型滤波器在数值计算性能和结构的模块化等方面都优于直接型,但实现起来较复杂。本文提出一种实现PIR数字滤波器的简化格型结构,它所需的硬件设备量只有常规格型实现时的一半,与直接型实现时相当。文中给出了从直接型到简化格型的综合算法。并对线性相位FIR数字滤波器的格型综合算法作了简化。用实例演示了本文的主要结论。
可约割集和可约回路及其在网络分析中的应用
戴国胜
1988, 10(3): 202-209 .
[摘要](1347) [PDF 1393KB](371)
摘要:
本文以梯形网络为讨论对象,提出可约分的独立割集和可约分的独立回路的概念。从而导出结构分析法,解决了常规网络分析法中某些研究得尚不透彻的问题。结构分析的结果与状态空间分析法所得结果完全一致,而且使用简便。最后给出了实例。
内导体偏置对矩形带状线电容影响的分析
马西奎
1988, 10(3): 210-217 .
[摘要](1430) [PDF 1254KB](449)
摘要:
本文提出了分析计算内导体偏置的矩形屏蔽带状线电容的部分模拟电荷法。电容计算值和实验结果吻合较好。此方法可通过增大级数项数来提高计算精度。
铁氧体变极化效应最佳磁化场的研究
夏一维, 李士根, 蒋仁培
1988, 10(3): 218-227 .
[摘要](1364) [PDF 1457KB](454)
摘要:
本文将耦合波理论和变分原理用于探求铁氧体变极化效应的最佳磁化场,并用计算机进行了数值计算,画出了几种情况的最佳磁力线形状,理论计算与实验结果基本相符。
非线性直流故障电路的规范型分段线性分析
蔡千
1988, 10(3): 228-237 .
[摘要](1652) [PDF 1330KB](494)
摘要:
本文应用规范型分段线性法进行了非线性直流故障电路的分析,求解了预先选为测试端口的端口电压值。该法需要的贮存量少,经有限步即可得到解答,计算效率高,并且适用于含有多端口非线性元件的电路,是一个故障诊断测试前模拟法,是分析测试前故障电路的好方法。
双反射面天线主面模具共享技术及其优化方法
徐国华, 漆一宏
1988, 10(3): 238-243 .
[摘要](1553) [PDF 824KB](648)
摘要:
本文提出了通过优化副反射面使同一焦距不同口径的主反射面共用一套加工模具的双反射面天线主面面板模具共享技术。提出了一种快速收敛优化方法,并将其应用于主面共享设计,取得了较为满意的结果。
激光微波管
赵永翔
1988, 10(3): 244-251 .
[摘要](1513) [PDF 1225KB](361)
摘要:
激光微波管(lasertron)是80年代发展的超大功率微波源,目前尚处在研究的初期阶段。本文介绍了激光微波管的基本原理,并进行了一维分析。计算模型比较简单,但已经可以看出与常规微波管不同的许多特点。数值计算结果显示出了空间电荷影响的严重性。文中最后指出研究激光微波管遇到的一些关键技术问题。
在迴旋管谐振迴路中利用缓变椭圆截面过渡段来抑制杂模的探讨
李慧斌, 陆孝厚
1988, 10(3): 252-257 .
[摘要](1721) [PDF 954KB](402)
摘要:
在迴旋管中圆截面谐振腔与圆环电子束相互作用是最合理的。但在这种腔中有与主模谐振频率极接近的杂模存在,本文探讨在相互作用区仍用圆截面谐振腔,而在互作用区外加进一段特殊设计的缓变椭圆过渡段用来抑制杂模的可能性。我们这样设计,其杂模场强能够延伸进过渡段而主模场强则不行;再在过渡段中加载,使其起到抑制杂模而保存主模(cTE0n和sTE1n)的作用。
研究简报
有源C带阻滤波器
郭违伟
1988, 10(3): 258-262 .
[摘要](2091) [PDF 684KB](408)
摘要:
本文提出了一种新的由两个运放、五个电容组成的有源C带阻滤波器,该滤波器能实现低通、低通带阻、带通、对称带阻网络功能,其极点参数0和Q可以独立调整。文中不但给出了实验结果和计算实例,还分析了在0点衰减为有限值的原因。
填充两层介质的矩型波导的色散特性
姜遵富
1988, 10(3): 263-268 .
[摘要](1521) [PDF 899KB](301)
摘要:
本文导出了两层介质填充的矩型波导的色散方程的解析表达式,讨论了填充多层介质的矩型波导的色散方程的有趣特点,计算了有效介电常数,对工程应用有参考意义。
对运动光波导传播特性的研究
金恩培, 盖云英
1988, 10(3): 269-272 .
[摘要](1368) [PDF 543KB](359)
摘要:
本文提出用Lorentz变换的方法来解决运动光波导的传播问题。且在实验室参照系中得出TE模的传播特性。
有限宽边缘槽波导分析
田柏强, 时振栋
1988, 10(3): 273-278 .
[摘要](1377) [PDF 748KB](381)
摘要:
本文在运用Babinet原理分析边缘等效电路的基础上根据横向谐振关系建立色散方程。首次获得了由于辐射引起的衰减常数;解释了漏波场。所得结果与实验吻合较好。
硅衬底中缺陷的控制和利用
许康, 王为林, 史遵兰
1988, 10(3): 279-284 .
[摘要](1626) [PDF 1237KB](509)
摘要:
衬底硅中缺陷的控制和利用对半导体器件,尤其是LSI、VLSI电路极为重要。本文报道了有关这方面研究的一些实验结果。与未经处理的硅片相比,用IG法处理过的硅片,其n+p结的漏电流和MOS产生寿命可分别改善13和12个数量级,而用CCG法处理过的二极管的合格率可提高将近2倍。为了满足LSI、VLSI电路对衬底质量提出日益苛刻的要求,作者认为应联合实行两种或多种缺陷控制方法。
高效率硅太阳电池AR-BSF一次成型工艺研究
刘恩科, 贾全喜
1988, 10(3): 285-288 .
[摘要](1742) [PDF 734KB](634)
摘要:
本文描述一种用LPCVD方法淀积Si3N4形成太阳电池减反射膜(AR)同时又制得高效率硅太阳电池铝合金高低结背面场(BSF)的新工艺。该工艺不仅简化了太阳电池的制作过程,即电池的AR和BSY一次形成,而且由于系统处于高真空,电池处在N2和H2的气氛中,所以改善了太阳电池发射区的表面特性。实验结果表明:为获得较好的电池性能,在完成电池的AR和BSF时,厚的铝膜,较高的淀积Si3N4温度以及在电池发射区表面生长80100的SiO2层是必要的。

1979年创刊 月刊

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主管单位:中国科学院

主办单位:中国科学院电子学研究所
国家自然科学基金委员会信息科学部

主  编:吴一戎

ISSN 1009-5896  CN 11-4494/TN

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