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1988年10卷4期

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论文
系数矩阵正交矢量谱估计
黄登山, 保铮
1988, 10(4): 289-296 .
[摘要](1421) [PDF 1301KB](531)
摘要:
邹理和(1984)提出,用线性预测误差滤波器系数矩阵对K个二维复正弦波加白噪声的信号作谱估计,有着良好的特性。本文将证明,二维线性预测误差滤波器系数矩阵空间具有和相关阵空间非常类似的结构。在系数阵空间同样存在正交矢量谱估计方法。采用相关阵SVD逼近技术,可使系数阵正交矢量方法不仅具有很高分辨率,而且具有很好的统计稳定性。最后将二维的结果移植到一维,并在一维中进行了计算机模拟,模拟结果表明新方法比现用的一些方法为佳。
电网络的回路岔集分析法
温书田, 罗涛
1988, 10(4): 297-304 .
[摘要](1329) [PDF 1247KB](404)
摘要:
本文定义了描述网络图回路与节点关联状况的矩阵D,定义了回路岔集和回路岔集矩阵。提出并证明了回路节点矩阵与节点矩阵的乘积等于回路岔集矩阵的定理。定义了回路岔集导纳矩阵,假设回路岔集电压矢量作为中间计算量,导出了回路岔集方程,并提出了对电网络的回路岔集分析法。
最大权匹配算法的改进与实现
徐志才
1988, 10(4): 305-315 .
[摘要](1506) [PDF 1781KB](488)
摘要:
本文提出了有效关联矩阵、升阶邻接矩阵、点的归宿等一些新概念,对最大权匹配算法作了一些改进。上述方法已用FORTRAN语言编制成计算机程序,并在FELIX C-512机和IBM-PC机上调试通过,运行效果良好。
处理反对称结构电磁散射问题的广义镜像法
郭英杰
1988, 10(4): 316-321 .
[摘要](1447) [PDF 984KB](448)
摘要:
本文提出一种处理反对称结构的电磁散射问题的广义镜像法,将它和数值方法相结合,可以大量节省求解散射场过程中所需要的计算机内存和计算时间。本文就二维问题对此进行了详细讨论,并给出了计算实例。
解不连续介质结构问题的积分方程法
万里兮, 盛克敏, 任朗
1988, 10(4): 322-333 .
[摘要](1522) [PDF 1712KB](444)
摘要:
本文讨论了用积分方程法处理不连续介质结构问题。先从模式匹配法出发,通过一些变换和推导,得到了相应的散射积分方程和传输积分方程。给出了传输积分方程存在解的充要条件。这个条件实际上就是这种介质结构的色散方程。作为例子,导出了一阶不连续介质结构的简洁解。
单模光纤特性的快速分析方法
杨祥林
1988, 10(4): 334-342 .
[摘要](1342) [PDF 1222KB](615)
摘要:
本文讨论了单模光纤特性的快速工程计算方法;编制了能够分析任意圆对称剖面结构单模光纤传输特性的小型通用程序;给出了分析结果。本方法具有较高的精度,是一种实用的工程分析方法。
等离子体诊断用的毫米波准光学系统的设计和测量
沈学民, 王兆申
1988, 10(4): 343-349 .
[摘要](1494) [PDF 1347KB](656)
摘要:
准光学方法有效地提高了毫米波接收系统在等离子体诊断中的空间分辨率。本文给出了准光学系统的设计公式、设计步骤以及测量的实验结果。
介质加载对微波铁氧体器件性能的影响
李士根
1988, 10(4): 350-359 .
[摘要](1331) [PDF 1221KB](455)
摘要:
本文应用耦合波理论对微波铁氧体器件的三种介质加载方式进行了计算,得出了一些定量的结果,这对我们深入理解微波铁氧体器件的介质加载机理具有一定的意义
镍硅化物生成的TEM原位研究
高铭台
1988, 10(4): 360-366 .
[摘要](1505) [PDF 1667KB](451)
摘要:
蒸涂法获得的Si-Ni界面在室温到800℃下热处理,并用透射式电子显微镜对它进行原位研究。在化学清洗的洁净的Si(100)及(111)面上生成了Ni2Si,NiSi和NiSi2系列。实验表明,在真空度为110-6mmHg,温度为650℃时,化学清洗的Si表面上生成了SiC;各种镍硅化物的出现不是在某一确定温度;在Si(111)面上外延生长镍硅化物比在(100)面上容易。
研究简报
关于TUSTIN变换的一个定理
许锦标, 王建平
1988, 10(4): 367-371 .
[摘要](4668) [PDF 516KB](521)
摘要:
Tustin变换(又称双线性变换)是数字滤波器的设计、实时数字仿真、数控及辩识等领域流行的方法,有关s域和z域系数值的相互计算问题前人已进行过研究,但均未建立直接的数学关系式。本文运用矩阵相乘代替多项式的相乘,再利用二项式定理以及二次型的有关结论,导出了s域和z域上系数值之间的数学关系式,并在这一成果的基础上,建立了一个算法。
双栅器件的跨导和漏导
董忠
1988, 10(4): 372-376 .
[摘要](1758) [PDF 751KB](536)
摘要:
本文将双栅MOSFET考虑成四极器件,以电流连续、电压守恒为基础,讨论了其跨导和漏导特性。所提出的分析求解方法。可推广到任何双栅结构器件。结果表明,此方法不仅简洁、适用性广;而且物理概念清楚,将三极器件和四极器件的特性联系了起来,自然地引出了双栅器件特有的耦合概念。对于所选取的单栅模型,跨导、漏导的计算值和实验值符合良好。
利用FFT图象检测和分析砷化镓材料中的缺陷
张福贵
1988, 10(4): 377-380 .
[摘要](1488) [PDF 715KB](542)
摘要:
砷化镓材料中缺陷的不均匀分布严重地限制了集成电路生产的重复性。本文首次提出一种利用傅里叶变换频谱图象检测和分析沿110和010方向上位错缺陷的统计分布的方法,称为FTIT检验法。文中定义的相参系数和纹理复杂系数是定量地检验制造集成电路材料中缺陷的重要指标。
浸渍镱酸盐阴极
王永树, 王奇, 李美仙, 邓耀德
1988, 10(4): 381-384 .
[摘要](1472) [PDF 606KB](356)
摘要:
本文介绍了一种新型钡钨阴极镱酸盐阴极,这种阴极是以多孔钨海绵为基体,浸渍镱酸盐发射材料而制成。该阴极具有大的次级电子发射系数,在室温下,为4.1;较大的热发射,在1000℃,可支取6A/cm2的电流密度,而且阴极表面发射比较均匀;有较强的抗氧中毒能力;是一种较好的实用阴极。

1979年创刊 月刊

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主管单位:中国科学院

主办单位:中国科学院电子学研究所
国家自然科学基金委员会信息科学部

主  编:吴一戎

ISSN 1009-5896  CN 11-4494/TN

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