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1990年12卷1期

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论文
图象的矩形变换矢量量化编码法
汪凯, 宋国文
1990, 12(1): 1-6 .
[摘要](1464) [PDF 1270KB](404)
摘要:
本文介绍了简单、实用的矩形变换和近几年来迅速发展的矢量量化技术.并把矩形变换和矢量量化技术结合在一起应用于图象的数据压缩.这种结合降低了矢量编码的维数,相应的码书尺寸能适当的得到减小.此方法加快了矢量编码的进程,减少了存贮量,编码率得到进一步减小.计算机模拟实验证明这种方法对图象的数据压缩是非常有效的.
间隔编码和新近队列编码的研究
王继东
1990, 12(1): 7-13 .
[摘要](1303) [PDF 1217KB](455)
摘要:
Elias提出的间隔编码和新近队列编码对统计特性未知的信源是良好的自适应信源编码.本文论证了间隔编码和新近队列编码的效率以概率队列编码的效率为上界,并将Elias的离散无记忆信源模型下的间隔编码和新近队列编码推广到了有限状态有记忆信源.
具有近似线性相位特性的多相波数字滤波器的设计
程海, 江锡仁, 刘小坚
1990, 12(1): 14-21 .
[摘要](1873) [PDF 1228KB](745)
摘要:
不考虑相位失真,而要求满足比较苛刻的振幅特性的时候,和FIR滤波器比较起来,采用 IIR 滤波器,计算量要小很多.但对某些IIR滤波器,采取适当的方法,也可以使其相位失真变得很小.本文提出一种新的设计方法,用来设计振幅响应完全满足设计要求,而相位特性用Chebyshev 近似来实现的多相波数字滤波器.这种方法的关键在于确定通带中的若干衰减零点.文中对需要的最小衰减零点数作了估计.实例表明,用这种方法设计的滤波器,时延小,相位特性非常接近线性.
自跟踪陷波器
徐德炳
1990, 12(1): 22-31 .
[摘要](1970) [PDF 1500KB](641)
摘要:
本文提出一种自动调谐陷波器,其陷波中心频率自动跟踪市电频率或某一外加干扰频率,以抑制其干扰.陷波器的谐振电路由LC组成,而电感L是用普遍阻抗转换器(GIC)来实现,GIC的端接电阻为压控MOS管电阻,因此可以用一电压控制此电阻以改变电感值,进而控制陷波频率.这种陷波电路可用于抑制市电频率的干扰噪声并防止测量或数据采集系统中前置放大器的饱和.实验结果表明在频率从4555Hz,其陷波频率跟踪精度优于0.5Hz,而陷波深度(串模抑制比)为3040dB.
阻抗劈的UTD公式(TM情形)
王秉中
1990, 12(1): 32-37 .
[摘要](1463) [PDF 809KB](431)
摘要:
本文给出了TM平面波被一照射面为阻抗表面的导体劈绕射的一致性几何绕射公式.利用该公式,我们计算了涂覆有耗介质的矩形平板的后向雷达散射截面,计算结果与测量值吻合较好.
特种截面传输线的分析
任伟, 林为干
1990, 12(1): 38-46 .
[摘要](1347) [PDF 1368KB](539)
摘要:
本文通过反演保角变换与图形逼近相结合的方法,为许多传输线问题的分析提供了一种更加有效的方法.并以圆及正N边形组成的同轴线为例,阐述了这种方法.新方法的准确性通过与精确方法的数值比较得到证实.
非子午绕组偏转器磁场的分析与计算
沈庆垓, 林文彬, 谢志行
1990, 12(1): 47-56 .
[摘要](1575) [PDF 1280KB](401)
摘要:
本文给出了鞍形和环形非子午绕组偏转器磁标位和特性函数的解析式.对彩色显象管和电子束曝光机等的偏转线圈设计具有实际意义.理论计算与实测结果符合良好.
非晶硅太阳能电池载流子收集长度的自动测量
熊绍珍, 耿新华, 周启明, 王玉冰, 孟志国, 孙仲林, 徐温元
1990, 12(1): 57-64 .
[摘要](1829) [PDF 1419KB](660)
摘要:
提出用光生电流偏压关系拟合非晶硅pin太阳能电池光态I-V特性曲线,测量光生载流子收集长度的模型.用计算机自动测量与分析处理系统采样,采用Marquardt数字计算拟合法对实测I-V值进行拟合验证,实验结果证明该模型拟合结果良好.用不同模型对同组数据进行拟合比较,对各模型拟合误差进行了讨论,本文的模型拟合误差较小,参数自动拟合调整较大,数据重复性、可靠性好,能反映实际使用条件下电池的特性.
研究简报
十六元树、二值图象数据压缩
陈根明, 袁保宗
1990, 12(1): 65-68 .
[摘要](1523) [PDF 692KB](496)
摘要:
本文介绍了一种二值图象数据压缩的十六元树方法,它具有效率高、便于实现,无失真恢复等特点,是处理二值图象中极为实用的方法,
线性有源网络的高效模拟和优化设计
曲明
1990, 12(1): 69-73 .
[摘要](1469) [PDF 839KB](529)
摘要:
本文给出了适合于线性有源网络优化设计的一种有效方法.在电路优化设计中,计算费用主要取决于目标函数计算。通常情况下,一个线性网络的模拟要求解维数较高的线性方程。电路优化设计中一个很重要的特点是独立可调设计参数的数目较小,依据线性网络的性质,将其表征为一个多端口网络,在优化之前建立混合参数矩阵,每次目标函数计算中仅需求解一个维数和设计参数数目相同的方程,因而非常省时。
本征权边界积分法解任意截面波导传输问题
祝雷, 章文勋
1990, 12(1): 74-79 .
[摘要](1487) [PDF 860KB](578)
摘要:
本文选取本征函数作为权函数,由格林第二恒等式建立边界积分方程,并采用边界基形式得到线性齐次方程组。这种方法不仅降低了系数矩阵的维数,而且使其各项仍保持为简单一项,减少了计算量.本文提供了几种常见金属波导的例子,计算结果既收敛快、又足够准确。
210270GHz短毫米波3倍频器
杨玉芬
1990, 12(1): 80-82 .
[摘要](1586) [PDF 602KB](668)
摘要:
本文描述了频率复盖210270GHz的3倍频器,最高的倍频效率为5.8%,最大的输出功率发生在输入功率为3050mW的范围内。3倍频器是由基波输入波导WR-12、输出波导WR-4和两波导之间的同轴低通滤波器组成。
示波管偏转系统上升时间计算模型
陈威森
1990, 12(1): 83-88 .
[摘要](1590) [PDF 889KB](492)
摘要:
本文提出了示波管偏转系统高频性能分析新方法。通过分析电子在偏转系统内的渡越时间差模型,导出偏转系统在单位阶跃电压函数作用下,电子束扫描轨迹方程及上升时间的计算。
微通道板输出电极的最佳深度
汪金祥
1990, 12(1): 89-92 .
[摘要](1653) [PDF 607KB](432)
摘要:
本文给出了微通道板(MCP)输出电极的最佳深度表达式。在此最佳条件下,MCP输出电子能量分布(EDOE)曲线只有锐的低能主峰,它的半宽度达到极限值,能在极限空间分辨率下工作。解释了以前所报道的MCP的EDOE特性,那实际上是偏离最佳条件下的MCP的特性。
分子束外延生长的GaAs-AlxGa1-xAs多层异质结构中的精细低维调制条纹的观察
范荣团, C.J.Humphreys
1990, 12(1): 93-99 .
[摘要](1764) [PDF 1485KB](447)
摘要:
应用透射式电子显微镜观察了GaAs-AlxGa1-xAs多层异质结结构中的精细低维调制条纹。在邻近GaAs-AlxGa1-xAs超晶格层的缓冲层中和与这缓冲层邻近的GaAs-AlxGa1-xAs超晶格层的小区域中发现了等宽度的精细低维调制条纹,其宽度为9.1的GaAs条纹,12的AlxGa1-xAs条纹。文中介绍了用显微密度计获得的这些条纹的密度分布结果。同时还给出了GaAs-AlxGa1-xAs 多层异质结结构的晶格像和用X射线能量散射谱技术获得的成分定量分析结果。
耗尽型选择性掺杂异质结晶体管
陈定钦, 张晓玲, 熊思强, 高翠华, 周帆
1990, 12(1): 100-102 .
[摘要](1676) [PDF 608KB](558)
摘要:
设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm2/vs,二维薄层电子浓度ns=91011cm2。在77K时n=75000cm2/vs。测量了具有栅长1.21.5m,栅宽2180m耗尽型异质结器件的直流特性和器件的跨导,室温下gm=110~130ms/mm,而低温77K时,可达到200ms/mm。
钼基和铪基上溅射碳膜的某些特性
毕建明, 曹蕴珠, 陈锐, 青先泽
1990, 12(1): 103-108 .
[摘要](1540) [PDF 937KB](615)
摘要:
微波管电极表面涂复碳膜能改善管子性能。本文介绍了采用高频溅射热解石墨的方法在Mo基和Hf基上形成碳膜的一些研究情况。包括碳膜的制造、成分分析,次级发射性能和热辐射特性以及在真空系统中随温度上升释放气体的质谱分析等。主要结果有:(1)复碳钼有明显的吸氧效应;(2)钼、铪上复碳后次级发射系数降为max 0.7;(3)高温时(930℃)钼基上的碳膜会很快消失,但铪基上的碳膜到1050℃仍无明显变化;(4)复碳钼在高温时有一定量的CH4形成。
热解乙氧基铝制备次级电子发射膜
谢伯兴
1990, 12(1): 109-112 .
[摘要](1929) [PDF 702KB](386)
摘要:
利用某些有机烷氧基金属化合物的热分解,可在玻璃、金属、陶瓷或半导体基片上沉积相应的金属氧化物次级发射膜。例如:由乙氧基镁(或铝)的热解制得MgO(或Al2O3)膜。本工作由自制乙氧基铝和五氯化钼,在玻璃基底上热解沉积制得合适电阻率的次级发射膜Al2O3∶Mo.膜厚1000,电阻率107-108cm,最大次级电子发射系数 max=3.1,热解条件为450℃,12min。

1979年创刊 月刊

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主管单位:中国科学院

主办单位:中国科学院电子学研究所
国家自然科学基金委员会信息科学部

主  编:吴一戎

ISSN 1009-5896  CN 11-4494/TN

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