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1990年12卷6期

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论文
三维介质雷达罩电磁特性的复象散波分析
王月清
1990, 12(6): 561-568 .
[摘要](1453) [PDF 1320KB](520)
摘要:
复象散波理论是一种分析三维介质雷达罩电磁特性的有效方法。本文以椭球夹心状的雷达罩为例,将其数值结果以三维立体方向图的形式给出,并与实验结果比较,说明这种方法可有效地简化介质雷达罩的分析、计算及优化设计。
理想导电劈的时域并矢格林函数和时域特性
张钧, 黄广连, 张建
1990, 12(6): 569-574 .
[摘要](1797) [PDF 854KB](408)
摘要:
本文采用本征矢量函数展开(OhmRayleigh)法和Laplace变换导出了理想导电劈的时域并矢格林函数,并系统地分析了它的时域特性。得到了一些结论,完善了C.T.Tai(1973)的理论,为进一步分析劈的时域性质(如时域RCS)提供了参考.
波导混合模问题的修正边界元法分析
洪伟
1990, 12(6): 575-583 .
[摘要](1492) [PDF 1055KB](385)
摘要:
本文建立了分析波导混合模问题的修正边界元模型;导出了关于混合模的耦合边界积分方程组及其退化形式,并用矩量法将之离散为齐次代数方程组,从而得波导的混合模传输常数;最后以部分介质填充波导为例进行了计算,所得结果与横向谐振法结果吻合得很好。
长度为pm的离散哈脱莱变换分离基算法
茅一民
1990, 12(6): 584-592 .
[摘要](1474) [PDF 1145KB](339)
摘要:
Soo-Chang Pei,Ja-Ling wu(1986)和茅一民(1987)提出了长度为2m的分离基2/4哈脱莱变换算法。本文将分离基算法推广到长度为pm的哈脱莱变换,并证明基p2算法实乘次数比基p算法少,而基p/p2算法实乘次数比前两者都少。作为例子,给出了长度为N=3m的基3/9哈脱莱变换快速算法和流图。
任意有向图的最小K边连通扩充
孙立山, 孙雨耕, 杨山
1990, 12(6): 593-599 .
[摘要](1728) [PDF 1365KB](444)
摘要:
本文研究了以最小边集扩充一个任意有向图为K边连通有向图这一优化问题。提出了一个复杂度O(|V|5)的有效算法。该算法为可靠网络的计算机辅助设计打下了基础。
使用单位增益缓冲器构成的抗寄生SC跨导
李文哲, 林锋, 常卫国, 王德隽
1990, 12(6): 600-606 .
[摘要](1871) [PDF 1118KB](552)
摘要:
用单位增益缓冲器构成的开关电容滤波器(SCF),若能消除寄生电容引起的阻性寄生,则可用于高频设计,总寄生灵敏度会因此大大降低。本文在此基础上提出一种新的抗寄生开关电容(SC)跨导元件电路差分跨导元件,并用它构成了适用于高频的SC浮地电感和积分器。最后用它实现了一个三阶椭圆函数低通滤波器,并经计算机模拟和实验验证,证明了该方案的正确性。
通讯调制体制辨别
张俊岭, 朱雪龙, 朱正中
1990, 12(6): 607-613 .
[摘要](1586) [PDF 1190KB](634)
摘要:
通讯调制体制辨别是现代电子侦察中经常遇到的一个问题,本文针对现今通用的调制体制,提出了一种方法,这种方法只需利用截获的一段典型信号,就可以确定它的调制体制和主要参数.文中给出了这一方法的理论基础、具体算法和实验数据,理论和实验结果表明,这是一种行之有效的方法。
电子束聚焦偏转系统中透镜加工误差效应的数值计算
刘浩宁, 朱协卿
1990, 12(6): 614-627 .
[摘要](3056) [PDF 2074KB](579)
摘要:
本文讨论了由于电磁透镜中电极和极靴加工的误差(孔径椭圆度和端面倾斜)造成电子束系统电子光学性质影响的数值计算问题,包括用有限元法计算具有孔径椭圆度和端面倾斜的透镜中电磁场的分布,电子轨迹方程和像差积分式等。最后给出了用所编制的计算机程序计算的若干个加工误差效应的实例。
掺氧化钇钡钨阴极的表面特性研究
苏煦春, 方厚民
1990, 12(6): 628-635 .
[摘要](1580) [PDF 1619KB](473)
摘要:
以掺氧化钇的钡钨阴极作为研究对象,利用现代表面分析技术,包括发射式电子显徽镜、扫描电子显微镜、俄歇电子谱仪和高分辨率x射线光电子谱仪等,进行了综合研究,获得了阴极发射性能、表面形貌和表面化学等实验结果,并对实验结果进行了讨论。
研究简报
ZJ03高速高精度锁定电压比较器的设计
毛培法, 江来喜
1990, 12(6): 636-640 .
[摘要](1780) [PDF 1008KB](689)
摘要:
本文介绍一种新型的取样锁定电压比较器ZJ03的设计。一般的电压比较器由多级直接耦合放大器组戒,其精度(灵敏度)主要取决于总电压增益,响应速度取决于总带宽,精度与响应速度是矛盾的,难以实现高速和高精度。ZJ03在体制上有重要的改进,它含有一级受控的正反馈放大器,使精度主要取决于输入失调电压,与总带宽几乎没有关系,可实现高速和高精度。在ZJ03的设计中,采用了容差扩展、中心设计和电平自适应技术,提高了产品性能的一致性和成品率。
树枝型电力网短路故障的端口比值分支定位法
侯自立, 彭兰芳
1990, 12(6): 641-645 .
[摘要](1782) [PDF 769KB](446)
摘要:
本文针对我国10kV电力网分布的特点,提出端口比值分支定位法。解决同一地点短路故障分支的在线自动诊断。具有模型简单、计算方便、定位精度较高的特点。
用复射线展开法分析目标的雷达截面
冯文澜, 阮颖铮
1990, 12(6): 646-649 .
[摘要](1486) [PDF 730KB](439)
摘要:
本文根据复射线分析和场的高斯波束展开,提出了一种计算复杂目标电磁散射特性的简便方法。由于复射线法不受目标形状的限制,因此该方法可用于任意形状的目标。本文以矩形进气道为例,进行了雷达截面分析计算,并将计算值与测试值比较,结果表明这种方法是可行的。
静电迴旋单腔管起振电流和频率偏移的研究
于善夫, 徐晓曦, 刘盛纲
1990, 12(6): 650-655 .
[摘要](1487) [PDF 711KB](385)
摘要:
本文从线性Vlasov-Maxwell方程出发,求得了具有纵向场分布sin k//z的静电单腔管的起振电流和频偏表达式,并进行了数值计算。
TEM分析用的半导体横截面样品的制备和分析的结果
范荣团
1990, 12(6): 656-659 .
[摘要](2506) [PDF 839KB](945)
摘要:
本文介绍了透射式电子显微镜(TEM)用的横截面样品的制作技术。利用这一技术制出的样品,用TEM观察到了GaAs/AlGaAs超晶格结构中周期性的精细成分调制的新现象。在金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)生长的GaAs/si材料中还观察到一些新形状的位错、微孪晶等。这一种制样技术也适用于其他半导体材料系统的研究。
计算场发射系统尖端形状系数的半经验公式
杨德清, 宋红江, 王智, 陈尔纲
1990, 12(6): 660-665 .
[摘要](2291) [PDF 1010KB](470)
摘要:
本文提出了一般场发射系统尖端形状系数的计算公式:0.2/[(r0+h)ln(2h/r0)]。用该公式和数值计算法以及D.Selidovkin,W.Swanson和P.Dyke等人提出的相应公式,分别对尖端呈半球形、椭球形、旋转抛物形和双曲形四种场发射系统的值进行了计算和比较。结果表明,用本文的公式所得的值与电子计算机的数值计算结果基本上是一致的。

1979年创刊 月刊

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主管单位:中国科学院

主办单位:中国科学院电子学研究所
国家自然科学基金委员会信息科学部

主  编:吴一戎

ISSN 1009-5896  CN 11-4494/TN

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