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1991年13卷5期

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论文
基于传输函数理论的多值多变量CMOS电路综合
陈偕雄, 赵小杰, 吴训威
1991, 13(5): 449-455 .
[摘要](1538) [PDF 1113KB](463)
摘要:
本文讨论了基于传输函数理论的多值CMOS电路综合技术。通过对基于传输函数理论的CMOS电路与T门的分析比较,指出了它们的工作原理的一致性。在此基础上提出了用函数分解综合多值多变量CMOS电路的方法。
ECL集成电路的四值接口技术
吴训威, 章专
1991, 13(5): 456-460 .
[摘要](1531) [PDF 864KB](411)
摘要:
本文介绍了适用于多值ECL电路设计的差动电流开关理论。在该理论中,分别用开关变量和四值信号变量来描写ECL电路中差动晶体管对的开关状态和信号,并引入此两类变量之间的联结运算,以描写电路内部开关元件与信号的相互作用过程。基于该理论,本文对两种接口电路2-4编码器和4-2译码器进行了设计。应用SPICE程序对设计电路的计算机模拟表明,两种电路均具有正确的逻辑功能、理想的DC转移特性和瞬态特性。由于该接口电路具有与二值电路兼容的集成工艺、电源设备、逻辑级差和瞬态特性,因此它可用作现有二值ECL集成电路的输入输出接口,从而达到减少芯片的引脚数和片间连接的目的。
用信号子空间法对测向阵元位置进行校准
万明坚, 肖先赐
1991, 13(5): 461-467 .
[摘要](1756) [PDF 1141KB](490)
摘要:
天线阵元位置的不确定性会严重影响天线的测距和测向性能。本文针对基于阵列协方差矩阵特征值分解的测向方法,在远场情况下,提出了用三个未知精确方向的校准信号源对阵元位置进行校准的方法。文中详细叙述了利用提取出的信号子空间来进行校准的迭代算法,证明了该算法能稳定地收敛到全局最优点。特别关键的是,文中给出了选取校准源方向的技术。模拟结果表明,本文所提出的方法是有效的,也是可行的。
用比特串实现的实时信号处理-剪裁平均滤波
张宏科, 张有正
1991, 13(5): 468-474 .
[摘要](1778) [PDF 954KB](438)
摘要:
本文基于比特串实现原理,对传统的多电平-剪裁平均摅波(TMF),提出了一种新的比特串-TMF概念。要工作包括:(1)给出了比特串-TMF的定义;(2)作为示例列出了演算-TMF算法的具体过程;(3)讨论了比特串-TMF的基本特性;(4)给出了用模拟和数字电路相结合实现的实时信号处理电路及实验结果。
采用保角变换求解一类TEM模传输线的衰减常数
梁昌洪, 崔铁军, 范小平
1991, 13(5): 475-481 .
[摘要](1952) [PDF 909KB](507)
摘要:
本文提出采用保角变换法求解一类TEM模传输线的衰减常数。通过适当的保角变换能够映射成(包括数值保角变换)正规圆同轴线或平板电容的情况均可采用这种方法。文中给出了解析结果和数值实例。
MOSFET中载流子能量输运计算机辅助分析
张义门, 滕建旭
1991, 13(5): 482-488 .
[摘要](1441) [PDF 1016KB](453)
摘要:
本文提出了能量输运问题的二维MOSFET的数值模拟,其中计入了产生、复合以及载流子的温度梯度对器件特性的影响;还提出了改进的迁移率模型。对微米和亚微米MOSFET样品的模拟结果表明,本文所提出的模型和方法与实验符合得很好。
氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质
俞跃辉, 林成鲁, 朱文化, 邹世昌, 卢江
1991, 13(5): 489-495 .
[摘要](1574) [PDF 1384KB](439)
摘要:
本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O+(200keV,1.81018/cm2)和N+(180keV,41017/cm2)共注入、并经1200℃、2h退火后所形成的绝缘埋层的微观结构及其光学性质。结果表明:O+和N+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异。通过对波数范围在5000--1700cm-1的红外反射谱的计算机模拟,得到了该绝缘埋层的折射率、厚度等有关的参数值,这些结果与离子背散射谱的分析结果相一致。本文还讨论了绝缘埋层的形成特征。
Ku波段宽带机调耿氏振荡器
谢家德, 徐崇莲, 荣志一
1991, 13(5): 496-501 .
[摘要](1573) [PDF 1072KB](487)
摘要:
本文介绍了Ku波段宽带机械调谐耿氏振荡器的实用电路结构、设计原则以及运用双金属补偿技术得到的实验结果。振荡器输出功率为50120mW;机调范围一般为10001500MHz,最宽优于2500MHz;频率温度系数一般小于0.07MHz/℃,最低优于0.01MHz/℃;功率温度系数一般小于0.015dB/℃,最低优于0.007dB/℃。
SBOS相邻逻辑对称序列构造与实现方法
林柏钢
1991, 13(5): 502-508 .
[摘要](1315) [PDF 1131KB](446)
摘要:
本文基于布尔序集相邻逻辑对称关系的二分枝树TBOS结构模型的研究,从中找出布尔序集相邻逻辑对称序列SBOS关系的内在规律,进而提出用SBOS构造的新方法,来实现N维布尔序集唯一相邻的逻辑路径问题。文中介绍了对跳定界搜索方法,对工程应用有着实际意义。
表面辐射条件在非光滑凸散射体上的应用
邱美德, 万伟
1991, 13(5): 509-515 .
[摘要](1611) [PDF 971KB](441)
摘要:
Kriegsman等人(1987年)提出了一种计算凸体电磁散射的新技术表面辐射条件(OSRC)法。但当散射体存在奇异边缘时,用这种新技术求得的散射场与实际相差很远,大大地限制了OSRC法的应用范围。本文考虑到奇异边缘的作用,提出了有效解决这一问题的一种奇异电流冲激法。用这一方法求解了金属带、多棱柱的散射,表明奇异电流的贡献将大大改善散射场预测的精度,并得到奇异电流的影响程度是散射体不光滑点处内角的函数。
电磁随钻测量中的边界元法
陈志雨
1991, 13(5): 516-523 .
[摘要](1549) [PDF 1226KB](592)
摘要:
电磁场线性边界元法被成功地用于求解半空间有损媒质中的非对称电偶极激励。它将为电磁随钻测量的工程问题提供一种简单实用的算法。本文对低频极限情况下的两种模型的计算结果都与实验和稳流场公式的结果进行了比较。
研究简报
用于微波遥感的L波段背射式天线
刘圣民, 廖连常
1991, 13(5): 524-527 .
[摘要](1556) [PDF 614KB](432)
摘要:
背射式天线具有增益高、副瓣低和结构紧凑的特点,但其频带较窄。本文得到的实验结果表明,它适于用作L波段微波辐射计的天线,而且能提高微波遥感系统的性能。
12GHz电波的强度闪烁观测和结果分析
余少华, 姚博文, 李焕矩
1991, 13(5): 528-531 .
[摘要](1592) [PDF 736KB](526)
摘要:
本文利用自行研制的数据采集和处理系统发展了一种以跟踪太阳的方式研究低仰角晴空大气湍流引起的12GHz电波强度闪烁的方法,克服了对卫星信标的依赖性。从1989年1月至4月进行了观测,得出了一些有价值的统计结果。
光控介质谐振器的频率调谐
郭开周, 杨荣生, 陈增圭
1991, 13(5): 532-537 .
[摘要](1534) [PDF 1000KB](382)
摘要:
本文对置于金属屏蔽中介质基片上的叠片式介质谐振器进行了分析;给出了光控频率调谐的线性理论公式和叠片式介质谐振器的谐振频率公式。这些公式可用于光控介质谐振器振荡器的理论计算和频率稳定度极高的叠片式介质谐振器的工程设计。
分段卷积的两种新方法
郝重阳
1991, 13(5): 538-543 .
[摘要](2218) [PDF 835KB](438)
摘要:
本文提出了将待卷积两序列均进行分段的两种分段卷积新方法,使运算等待(运算辅助)时间和运算周期减小为原值的几分之一,从而大大减小(输出)延迟尽快开始输出过滤点,也使整个处理时间大大缩短;能大大节省存储空间。上述时间和空间利用上的高效率,对于长冲激响应(高阶)滤波器过滤长信号尤显突出。此外,不再有原重叠保留法的方法性截尾误差。
QPSK基带数字相干解调的载波提取
陈教芳
1991, 13(5): 544-547 .
[摘要](2350) [PDF 729KB](735)
摘要:
本文介绍了基带数字相干解调的载波恢复锁相环的结构原理,并对其进行了性能分析。与四倍频方法比较,在相同条件下,前者比后者环路信噪比高5--10dB。实验结果表明,恢复的载波稳定性良好。
有源网络完全k树多项式的产生及其在网络分析中的应用
房大中
1991, 13(5): 548-551 .
[摘要](1499) [PDF 718KB](334)
摘要:
本文算法产生有源网络无源树边的完全k树多项式,算法时间复杂度与列写无向图全部树的改进的Minty算法相同。用该算法分析有源网络的符号函数可有效地减少对消冗余项数,同时也避免了对无源完全树边的符号鉴别问题。文章讨论了算法的合理性,并举例说明了它在网络分析中的应用。
开槽耦合型H01H0n模式变换器
钱书珍, 刘刚
1991, 13(5): 552-555 .
[摘要](1389) [PDF 593KB](411)
摘要:
本文叙述了一种新型的开槽耦合型H01H0n 模式变换器的设计原理、制作技术以及在8mm波段的实测结果。它显示了宽带特性。在32-37GHz的频带内,输入驻波比低于1.1;变换损耗低于1dB;杂模H01幅度低于-15dB。
中子擅变掺杂直拉硅的内吸除效应
张维连, 徐岳生, 李养贤
1991, 13(5): 556-560 .
[摘要](2018) [PDF 1039KB](452)
摘要:
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。

1979年创刊 月刊

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主管单位:中国科学院

主办单位:中国科学院电子学研究所
国家自然科学基金委员会信息科学部

主  编:吴一戎

ISSN 1009-5896  CN 11-4494/TN

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