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1992年14卷3期

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论文
背腔式窄缝天线在有耗介质中的特性
吴信宝, 潘威炎, 林为干
1992, 14(3): 225-232 .
[摘要](1741) [PDF 1424KB](569)
摘要:
本文利用矩量法与并矢格林函数相结合,研究了背腔式窄缝天线在有耗介质中的特性。对于矩阵单元的双重级数,采用泊松求和公式改善了级数的收敛性;对于矩阵单元的二重积分,分别采用积分中值定理及椭圆积分予以简化。本文的数值结果分别给出了有耗介质及天线结构参数对输入阻抗的影响,为天线设计提供了依据。
互阻抗精度对实现天线极低副瓣的限制
张林让, 张玉洪
1992, 14(3): 233-239 .
[摘要](1756) [PDF 1215KB](486)
摘要:
实现极低副瓣阵列天线需要作精确的互耦补偿.如果阵列的互阻抗(或互耦系数)矩阵确知,理论上可以精确补偿互耦的影响,从而实现极低副瓣接收。但无论是计算还是测量得到的互阻抗矩阵都只有一定的精度,这个精度最终决定了补偿效果。本文研究了极低副瓣阵列天线中互耦补偿对互阻抗精度的要求;推导出了互阻抗误差与通道幅相误差的关系;进而得到了互阻抗误差与副瓣电平的关系。
非均匀损耗介质体电磁逆散射的非相关照射法
王卫延, 张守融
1992, 14(3): 240-246 .
[摘要](1667) [PDF 1385KB](450)
摘要:
本文提出一种恢复非均匀损耗介质体复介电常数的新方法。它基于这样一个原则,即当介质体被一组非相关入射波照射。可以从其散射场中获得充分的有关介质体的信息。本文给出了有关的公式和数值模拟结果。准确的恢复数据说明这种方法在电磁逆散射和微波成象的研究中很有潜力。
二维多体散射系统分析
樊德森
1992, 14(3): 247-253 .
[摘要](1659) [PDF 1070KB](484)
摘要:
本文提出一种多体散射系统的普遍化的分析方法,原则上能处理任意形式的多体散射系统。利用系统散射方程把多体问题归结为一组单体问题,然后用有限元法对各个单体问题逐个进行分析。本文着重讨论二维多体系统,并给出由介质涂敷导体往构成的三体散射系统的计算实例。
吸波涂层目标散射特性的复射线分析
阮颖铮, 杜惠平
1992, 14(3): 254-261 .
[摘要](1486) [PDF 1370KB](548)
摘要:
将复射线理论推广到媒质有耗的情形,可以建立起损耗媒质中的复射线方法并用来分析吸波涂层目标的散射特性。该方法具有计算简便、物理概念明确、适用范围较广等特点。本文以涂层金属平板为例所进行的目标雷达截面分析结果表明,理论计算与实验结果能够很好地吻合。
曲线矩不变性的研究
李炳成, 沈俊
1992, 14(3): 262-270 .
[摘要](1620) [PDF 1493KB](622)
摘要:
本文提出一种新的矩和矩的不变性。它不仅适合于封闭轮廓线的识别和匹配,而且可以用来进行任意曲线段以任意方式组合所构成的物体的识别和匹配,从而拓广了前人平面矩、付里叶描述子等方法的应用范围。同时运用本文方法更正了前人方法的错误。最后,为了有效地使用曲线矩,本文提出了曲线矩计算的快速算法。新算法几乎不需要乘法,因此实现简单,速度快。
方位谱估计投影法的改进
张铭, 吴士达
1992, 14(3): 271-275 .
[摘要](1489) [PDF 763KB](375)
摘要:
本文提出了一种新的阵处理方法,此法无需进行特征值分解(EVD)和多维最优化处理。因此它计算简单、易于实时处理,而且适合于相干源存在的情况。文中将新方法与PROJ(1991)和Yeh(1987)两种方法作了比较;还给出了模拟结果。
树型电力网单故障分支识别的零泛器替代法
那文波, 许承斌
1992, 14(3): 276-280 .
[摘要](1606) [PDF 927KB](451)
摘要:
本文提出一种树型电力网单一故障分支的识别方法零泛器替代法。这种方法的特点是诊断所需要的端口变量易于测量,对于短路和断线故障都适用,测后计算量较少。适用于多分支的树型电力网单一故障分支的识别。经计算机模拟,证明了所提识别方法是有效的。
一种求偶图的所有完备匹配算法
蒋建明, 陈立东, 张良震
1992, 14(3): 281-285 .
[摘要](1712) [PDF 928KB](437)
摘要:
求给定偶图的所有完备匹配问题在LSI/VLSI的布图设计方面有着重要的应用。本文提出了一种求解这一问题的算法。(1)提出了许配树的概念并讨论了其性质;(2)证明了任意一棵许配树T(xi)对应于给定偶图的所有完备匹配的定理;(3)给出了求给定偶图的所有完备匹配的算法。本算法已在BST 386 CAD工作站上用C语言实现。运行结果证明了算法的正确性。算法已作为正在研充的VLSI积木块布图设计系统中的一个模块。
Z[]环上的两类密码体制
曹珍富
1992, 14(3): 286-290 .
[摘要](1661) [PDF 870KB](515)
摘要:
本文在Eisenstein环Z[]上得到了两类新的密码体制。它们分别是推广的RSA密码体制和自确认密码体制。安全性分别基于环Z[]上整数的分解和Z[]环上离散对数的计算。
用线性电压扫描的电容-时间瞬态测定少子产生寿命
张秀淼
1992, 14(3): 291-294 .
[摘要](1784) [PDF 758KB](470)
摘要:
本文建议用耗尽的线性扫描电压扫描MOS电容样品。扫描开始前MOS电容被置于强反型态,以消除表面产生的影响。根据扫描所得的电容-时间瞬态曲线,可确定样品中少于产生寿命。实验表明,对于同一个MOS电容样品,不同电压扫描率下得到的结果有很好的一致性,且与饱和电容法的结果相符合。
W[111]尖端场发射电子枪的工作特性
杨德清, 陈尔纲
1992, 14(3): 295-300 .
[摘要](1894) [PDF 1007KB](425)
摘要:
本文报道了单晶W[111]尖端的制作,以及由W[111]尖端阴极,第一、二阳极组成的三极场发射电子枪(FEG)的工作特性。实验结果表明,这种FEG在枪室真空为510-7Pa,加速电压在30kV的条件下,其虚源半径为1.6nm;亮度为3.8109A/cm2.sterad;场发射电流为1A时,束流稳定性为5%(10min内)。说明它是一种较理想的点状电子源,在实际应用中具有广泛发展前景。
研究简报
异步模-数-模语音加密中的伪频插入置乱方法
张海林, 王育民
1992, 14(3): 301-305 .
[摘要](1691) [PDF 1004KB](469)
摘要:
本文在L.s.Lee(1984,1986)异少模-数-模语音加密方案的基础上提出了自适应伪频插入置乱方法。这种方法有利于降低密话节奏感,提高异步加密方案的保密性,且可保证良好的恢复话音质量。
非线性振荡器频率占据现象的Volterra级数分析
刘华平, 孔俊室
1992, 14(3): 306-310 .
[摘要](1664) [PDF 683KB](643)
摘要:
本文应用Volterra级数和谐波平衡技术分析了一个互感耦合非线性振荡电路在外电动势作用下的频率占据现象。导出了占据带宽表达式。这种方法在建立好系统模型后只需进行代数运算,从而避开了求解非线性微分方程的复杂过程。
垂直电偶极子在介质-导体平面结构中场的表达式
逯贵祯, 张法通
1992, 14(3): 311-314 .
[摘要](1865) [PDF 650KB](459)
摘要:
本文研究了垂直电偶极子在介质-导体平面结构中的电波传播问题。利用索末菲积分表达式,通过假定场在各个区域中的形式以及使各区域中的场满足边界条件,导出了电磁场在介质-导体结构中的表达式。对场的表达式所做的渐近计算表明了介质下面导体的存在对电波传播的影响。
任意曲线形状介质栅漏波天线辐射特性的改进微扰法分析
徐善驾, 武新章
1992, 14(3): 315-319 .
[摘要](1851) [PDF 847KB](475)
摘要:
本文是对作者前一工作(1990)的补充和发展,文中用改进的微扰法分析了任意曲线形状介质栅漏波天线的辐射特性。所得数据和用场匹配方法得到的精确值进行了比较。结果表明,本文方法在保持相同精度的情况下,极大地简化了求解过程;并据此系统地研究了周期槽形状对介质栅漏波天线辐射特性的影响。文中给出的曲线可供设计介质栅天线时参考。
逆合成孔径雷达的系统补偿
孟宪德, 曹志道, 宿富林
1992, 14(3): 320-324 .
[摘要](1586) [PDF 806KB](432)
摘要:
本文给出了逆合成孔径雷达系统的幅相特性的补偿方法,指出补偿可分为混频前的系统补偿和混频后的系统补偿。通过微波暗室实验证明,所给补偿方法是正确的。
硅低温本征载流子浓度的计算
郑茳, 魏同立, 王曙, 黄勤
1992, 14(3): 323-328 .
[摘要](5489) [PDF 609KB](683)
摘要:
本文提出了低温区高精度的禁带宽度的表达式,获得了低温区本征载流子浓度的简明公式。考虑到禁带变窄效应的作用,本文导出了重掺杂硅中本征载流子浓度与温度和杂质浓度的关系式。与常温情况相比,低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。
天然放射性同位素产生的MCP噪声
邓金祥, 韦亚一
1992, 14(3): 329-331 .
[摘要](1582) [PDF 514KB](459)
摘要:
本文计算了天然放射性同位素产生的MCP噪声(以A/cm2表示)。计算结果给出:Rb87产生的噪声最大,K40次之;最小为La138和V50。这表明:某些应用领域要求低噪声或超低噪声的MCP时,则该MCP的皮料中不能含有天然放射性同位素Rb87或K40。
钡钨阴极表面的光电子谱研究
方厚民, 苏煦春, 江定健
1992, 14(3): 332-336 .
[摘要](1448) [PDF 865KB](523)
摘要:
用XPS,APES和ARPES分析技术综合探测了钡钨阴极(包括铝酸盐、钨酸盐和钪酸盐阴极)的表面化学,获得了一些新的结果。实验表明:阴极表面光电子谱峰的形貌特征与阴极的激活状态呈对应的关系;激活后钡钨阴极表面的钨是单一金属态,钡呈现氧化态。

1979年创刊 月刊

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主管单位:中国科学院

主办单位:中国科学院电子学研究所
国家自然科学基金委员会信息科学部

主  编:吴一戎

ISSN 1009-5896  CN 11-4494/TN

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