1996, 18(6): 638-643 .
摘要:
针对应变Si1-xGex的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在100Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2~31019cm-3后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
吴文刚, 张万荣, 江德生, 罗晋生. p型Si1-xGex应变层中重掺杂禁带窄变的计算[J]. 电子与信息学报, 1996, 18(6): 638-643..