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基于忆阻器的乘法器电路设计

王光义 沈书航 刘公致 李付鹏

引用本文: 王光义, 沈书航, 刘公致, 李付鹏. 基于忆阻器的乘法器电路设计[J]. 电子与信息学报, doi: 10.11999/JEIT190811 shu
Citation:  Guangyi WANG, Shuhang SHEN, Gongzhi LIU, Fupeng LI. Design of Memristor Based Multiplier Circuits[J]. Journal of Electronics and Information Technology, doi: 10.11999/JEIT190811 shu

基于忆阻器的乘法器电路设计

    作者简介: 王光义: 男,1957年生,教授,博导,研究方向为非线性电路与系统;
    沈书航: 男,1994年生,硕士生,研究方向为非线性电路与系统;
    刘公致: 男,1971年生,副研究员,研究方向为非线性电路与系统;
    李付鹏: 男,1986年生,助理实验师,研究方向为非线性电路与系统
    通讯作者: 刘公致,hzlgz0@163.com
  • 基金项目: 国家自然科学基金,(61771176,61801154)

摘要: 忆阻器作为一种非易失性的新型电路元件,在数字逻辑电路中具有良好的应用前景。目前,基于忆阻器的逻辑电路主要涉及全加器、乘法器以及异或(XOR)和同或(XNOR)门等研究,其中对于忆阻乘法器的研究仍比较少。该文采用两种不同方式来设计基于忆阻器的2位二进制乘法器电路。一种是利用改进的“异或”及“与”多功能逻辑模块,设计了一个2位二进制乘法器电路,另一种是结合新型的比例逻辑,即由一个忆阻器和一个NMOS管构成的单元门电路设计了一个2位二进制乘法器。对于所设计的两种乘法器进行了比较,并通过LTSPICS仿真进行验证。该文所设计的乘法器仅使用了2个N型金属-氧化物-半导体(NMOS)以及18个忆阻器(另一种为6个NMOS和28个忆阻器),相比于过去的忆阻乘法器,减少了大量晶体管的使用。

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图(10)表(2)
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文章相关
  • 通讯作者:  刘公致, hzlgz0@163.com
  • 收稿日期:  2019-10-18
  • 录用日期:  2020-01-19
  • 网络出版日期:  2020-02-25
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
  • 1. 

    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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