高级搜索

荷控忆阻器记忆衰退的寄生效应

沈怡然 李付鹏 王光义

引用本文: 沈怡然, 李付鹏, 王光义. 荷控忆阻器记忆衰退的寄生效应[J]. 电子与信息学报, doi: 10.11999/JEIT190865 shu
Citation:  Yiran SHEN, Fupeng LI, Guangyi WANG. The Role of Parasitic Elements in Fading Memory of A Charge Controlled Memristor[J]. Journal of Electronics and Information Technology, doi: 10.11999/JEIT190865 shu

荷控忆阻器记忆衰退的寄生效应

    作者简介: 沈怡然: 男,1979年生,实验师,研究方向为非线性电路与系统;
    李付鹏: 男,1986年生,助理实验师,研究方向为非线性电路与系统;
    王光义: 男,1957年生,教授,研究方向为非线性电路与系统
    通讯作者: 李付鹏,lfp_99@hdu.edu.cn
  • 基金项目: 国家自然科学基金(61771176,61801154)

摘要: 荷控忆阻器在寄生元件存在的情况下,可能发生记忆衰退现象。该文采用忆阻器动力学路线图和仿真的方法,研究了忆阻器寄生电阻和寄生电容对其动力学特性的影响。理论和仿真分析发现,理想荷控(流控)忆阻器在直流和交流激励下,寄生电阻或寄生电容单独存在时不发生记忆衰退现象,但在寄生电阻和寄生电容同时存在的情况下会发生记忆衰退,其机理是寄生元件形成放电通路,从而导致荷控忆阻器产生了记忆衰退。

English

图(11)
计量
  • PDF下载量:  14
  • 文章访问数:  93
  • HTML全文浏览量:  42
文章相关
  • 通讯作者:  李付鹏, lfp_99@hdu.edu.cn
  • 收稿日期:  2019-11-01
  • 录用日期:  2019-12-26
  • 网络出版日期:  2020-01-06
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
  • 1. 

    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

  1. 本站搜索
  2. 百度学术搜索
  3. 万方数据库搜索
  4. CNKI搜索

/

返回文章