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电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究

丁扣宝 张秀淼 石国华 孙勤生 施建青

丁扣宝, 张秀淼, 石国华, 孙勤生, 施建青. 电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究[J]. 电子与信息学报, 1995, 17(3): 334-336.
引用本文: 丁扣宝, 张秀淼, 石国华, 孙勤生, 施建青. 电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究[J]. 电子与信息学报, 1995, 17(3): 334-336.
Ding Koubao, Zhang Xiumiao, Shi Guohua, Sun Qinsheng, Shi Jianqing. STUDY OF THE DEEP LEVELS IN ELECTRON IRRADIATED CZ-S1 SLIGHTLY DOPED WITH NITROGEN[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1995, 17(3): 334-336.
Citation: Ding Koubao, Zhang Xiumiao, Shi Guohua, Sun Qinsheng, Shi Jianqing. STUDY OF THE DEEP LEVELS IN ELECTRON IRRADIATED CZ-S1 SLIGHTLY DOPED WITH NITROGEN[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1995, 17(3): 334-336.

电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究

STUDY OF THE DEEP LEVELS IN ELECTRON IRRADIATED CZ-S1 SLIGHTLY DOPED WITH NITROGEN

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    出版历程
    • 收稿日期:  1993-12-03
    • 修回日期:  1994-05-03
    • 刊出日期:  1995-05-19

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