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利用FFT图象检测和分析砷化镓材料中的缺陷

张福贵

张福贵. 利用FFT图象检测和分析砷化镓材料中的缺陷[J]. 电子与信息学报, 1988, 10(4): 377-380.
引用本文: 张福贵. 利用FFT图象检测和分析砷化镓材料中的缺陷[J]. 电子与信息学报, 1988, 10(4): 377-380.
Zhang Fugui. FFT IMAGE APPLICATION TO DETECTION AND ANALYSIS OF THE DEFECTS IN GaAs MATERIALS[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1988, 10(4): 377-380.
Citation: Zhang Fugui. FFT IMAGE APPLICATION TO DETECTION AND ANALYSIS OF THE DEFECTS IN GaAs MATERIALS[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1988, 10(4): 377-380.

利用FFT图象检测和分析砷化镓材料中的缺陷

FFT IMAGE APPLICATION TO DETECTION AND ANALYSIS OF THE DEFECTS IN GaAs MATERIALS

  • 摘要: 砷化镓材料中缺陷的不均匀分布严重地限制了集成电路生产的重复性。本文首次提出一种利用傅里叶变换频谱图象检测和分析沿110和010方向上位错缺陷的统计分布的方法,称为FTIT检验法。文中定义的相参系数和纹理复杂系数是定量地检验制造集成电路材料中缺陷的重要指标。
  • J. P. Fillard.[J].Comptes Rendus de la Confrence, Karinzawl, France, July.1984,:-[2]V. Milutinovic, Computer 19, 10(1986), 235-240.[3]J. Bonnafe.[J].et al., DRIP Symposium, ed. by J .P. Fillard, Materials Sciences Monographs, n31, Elsevier.1985,:-[4]M. Kunt,Traitement Numerique des Signaux, Dunod, 1981, pp. 101-110.[5]Zhang Fugui, These de Doctoral, Universite des Sciences et Techniques du Langudoc Montpellier, France, 1986, pp. 98-110.[6]C. G. Lendaris, G. L.Stanley, Proc. IEEE, 2(1970), 50-58.[7]J. Logowski, et al., Semi-insulating III-V Materials, Conf. Kah. nee ta, 1984, U. S. A., pp. 200-205.[8]M. P. Scott.[J].DRIP Materials Science Monographs, n31 Elsevier, ed. by J. P. Fillard.1985,:-M. Bonnet.[J].et al., DRIP Materials Science Monographs, n31 Elsevier, ed by J. P. Fillard.1985,:-
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-12-19
  • 修回日期:  1988-02-22
  • 刊出日期:  1988-07-19

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