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低温ECL电路的瞬态特性分析

李垚 郑茳 沈克强 魏同立

李垚, 郑茳, 沈克强, 魏同立. 低温ECL电路的瞬态特性分析[J]. 电子与信息学报, 1996, 18(5): 537-543.
引用本文: 李垚, 郑茳, 沈克强, 魏同立. 低温ECL电路的瞬态特性分析[J]. 电子与信息学报, 1996, 18(5): 537-543.
Li Yao, Zheng Jiang, Shen Keqiang, Wei Tongli. ANALYSIS OF TRANSIENT CHARACTERISTICS OF ECL CIRCUIT AT LOW TEMPERATURE[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1996, 18(5): 537-543.
Citation: Li Yao, Zheng Jiang, Shen Keqiang, Wei Tongli. ANALYSIS OF TRANSIENT CHARACTERISTICS OF ECL CIRCUIT AT LOW TEMPERATURE[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1996, 18(5): 537-543.

低温ECL电路的瞬态特性分析

ANALYSIS OF TRANSIENT CHARACTERISTICS OF ECL CIRCUIT AT LOW TEMPERATURE

  • 摘要: 本文对ECL电路的瞬态特性进行了较详尽的分析,给出了适于全温区的较精确的电路延迟时间表达式,并对影响tpd的主要参数的温度特性进行了分析。该模型可用于各种温度下高速器件和电路的优化设计。
  • Cressler J D, Tang D D, Jenkins K A, et al. IEEE Trans. on ED, 1989, 36(8): 1489-1502.[2]Cressler J D, Tang D D, Jenkins K A, et al. Low-Temperature Operation of Silicon Bipolar ECL Circuits. ISSCC Tech. Dig., New Fork: 1989, 228-229.[3]Stork J M C. Bipolar Transistor Scaling for Minimum Switching Delay and Energy Dissipation. IEDM Tech Dig., San Francisco: 1988, 550-553.[4]李垚, 沈克强,魏同立.固体电子学研究与进展,1995, 15(1):26-32.[5]李垚, 魏同立, 沈克强.东南大学学报, 1995, 20(3): 39-38.[6]Satake H,Hamasaki T. IEEE Trans. on ED, 1990, ED-37(7): 1688-1697.
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-11-07
  • 修回日期:  1995-04-26
  • 刊出日期:  1996-09-19

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