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砷化镓汽相外延中Cd的行为和p-n结材料的制备

彭瑞伍 徐晨梅 励翠云 王博弘

彭瑞伍, 徐晨梅, 励翠云, 王博弘. 砷化镓汽相外延中Cd的行为和p-n结材料的制备[J]. 电子与信息学报, 1985, 7(4): 319-322.
引用本文: 彭瑞伍, 徐晨梅, 励翠云, 王博弘. 砷化镓汽相外延中Cd的行为和p-n结材料的制备[J]. 电子与信息学报, 1985, 7(4): 319-322.
Peng Ruiwu, Xu Chenmei, Li Chuiyu, Wang Bohong . THE CADMIUM INCOPORATION AND THE PREPARATION OF p-n JUNCTION MATERIALS IN Ga-AsCl3-H2 SYSTEM[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1985, 7(4): 319-322.
Citation: Peng Ruiwu, Xu Chenmei, Li Chuiyu, Wang Bohong . THE CADMIUM INCOPORATION AND THE PREPARATION OF p-n JUNCTION MATERIALS IN Ga-AsCl3-H2 SYSTEM[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1985, 7(4): 319-322.

砷化镓汽相外延中Cd的行为和p-n结材料的制备

THE CADMIUM INCOPORATION AND THE PREPARATION OF p-n JUNCTION MATERIALS IN Ga-AsCl3-H2 SYSTEM

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    出版历程
    • 收稿日期:  1983-12-12
    • 修回日期:  1984-08-13
    • 刊出日期:  1985-07-19

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