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用深能级瞬态电容谱测定掺磷-Si:H的隙态密度

杜永昌 张玉峰 杨大同 张光华 韩汝琦

杜永昌, 张玉峰, 杨大同, 张光华, 韩汝琦. 用深能级瞬态电容谱测定掺磷-Si:H的隙态密度[J]. 电子与信息学报, 1984, 6(5): 417-421.
引用本文: 杜永昌, 张玉峰, 杨大同, 张光华, 韩汝琦. 用深能级瞬态电容谱测定掺磷-Si:H的隙态密度[J]. 电子与信息学报, 1984, 6(5): 417-421.
Du Yongchang, Zhang Yufeng, Yang Datong, Zhang Guanghua, Han Ruqi. THE DISTRIBUTION OF DENSITY OF GAP STATES FOR PHOSPHORUS-DOPED AMORPHOUS SILICON MEASURED BY DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1984, 6(5): 417-421.
Citation: Du Yongchang, Zhang Yufeng, Yang Datong, Zhang Guanghua, Han Ruqi. THE DISTRIBUTION OF DENSITY OF GAP STATES FOR PHOSPHORUS-DOPED AMORPHOUS SILICON MEASURED BY DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1984, 6(5): 417-421.

用深能级瞬态电容谱测定掺磷-Si:H的隙态密度

THE DISTRIBUTION OF DENSITY OF GAP STATES FOR PHOSPHORUS-DOPED AMORPHOUS SILICON MEASURED BY DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY

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    出版历程
    • 收稿日期:  1983-05-05
    • 修回日期:  1984-04-28
    • 刊出日期:  1984-09-19

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