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用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应

海宇涵 海灏 奚中和 张蔷

海宇涵, 海灏, 奚中和, 张蔷. 用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应[J]. 电子与信息学报, 1999, 21(5): 686-691.
引用本文: 海宇涵, 海灏, 奚中和, 张蔷. 用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应[J]. 电子与信息学报, 1999, 21(5): 686-691.
Hai Yuhan, Hai Hao, Xi Zhonghe, Zhang Qiang. INVESTIGATION OF CHARGE INTENSIFICATION EFFECT IN a-Si:H BY MEANS OF PHOTOELECTRIC SENSITIVITY METHOD[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1999, 21(5): 686-691.
Citation: Hai Yuhan, Hai Hao, Xi Zhonghe, Zhang Qiang. INVESTIGATION OF CHARGE INTENSIFICATION EFFECT IN a-Si:H BY MEANS OF PHOTOELECTRIC SENSITIVITY METHOD[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1999, 21(5): 686-691.

用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应

INVESTIGATION OF CHARGE INTENSIFICATION EFFECT IN a-Si:H BY MEANS OF PHOTOELECTRIC SENSITIVITY METHOD

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    出版历程
    • 收稿日期:  1997-04-29
    • 修回日期:  1999-01-18
    • 刊出日期:  1999-09-19

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