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硅n+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象

傅春寅 鲁永令

傅春寅, 鲁永令. 硅n+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象[J]. 电子与信息学报, 1989, 11(3): 284-289.
引用本文: 傅春寅, 鲁永令. 硅n+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象[J]. 电子与信息学报, 1989, 11(3): 284-289.
Fu Chunyin Lu Yongling Zeng Shurong. THE ANOMALOUS PHENOMENA ON DLTS OF GOLD DEEP ACCEPTOR LEVEL IN Si n+-P JUNCTION[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1989, 11(3): 284-289.
Citation: Fu Chunyin Lu Yongling Zeng Shurong. THE ANOMALOUS PHENOMENA ON DLTS OF GOLD DEEP ACCEPTOR LEVEL IN Si n+-P JUNCTION[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1989, 11(3): 284-289.

硅n+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象

THE ANOMALOUS PHENOMENA ON DLTS OF GOLD DEEP ACCEPTOR LEVEL IN Si n+-P JUNCTION

  • 摘要: 在研究硅n+-p结中金深受主能级EA的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1s时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于EA同时具有多子及少子两种响应区的结果。
  • D. V, Lang, J. Appl. Phys., 45(1974), 3023-3032.[2]傅春寅等,物理学报,34(1985),1559-1566.[3]C. T. Sah, Solid-State Elcetron., 13(1970), 759-788.[4]C. T. Sah, et al., Appl Phys. Lett., 15(1969), 145-148.[5]H, E, Maes, C. T. Sah, IEEE Trans on ED, ED-23(1979), 1131-1143.[6]E. Meijer, et al., Solid-State Communications, 46(1983), 255-258.[7]S. D. Brotherton, et al., J, Appl. Phys., 49(1978), 667-671.[8]秦国刚等,半导体学报,2(1981), 169-181.[9]R. H. Wu, et al., Solid-State Electron., 25(1982), 643-649.[10]A. G. Milncs, Decp Impurities in Semiconductors, Wiley, New York, 1973.
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-07-30
  • 修回日期:  1988-03-17
  • 刊出日期:  1989-05-19

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