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GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位

邬祥生 杨易 陈沛然 徐少华 李允平 胡道珊

邬祥生, 杨易, 陈沛然, 徐少华, 李允平, 胡道珊. GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位[J]. 电子与信息学报, 1982, 4(4): 242-247.
引用本文: 邬祥生, 杨易, 陈沛然, 徐少华, 李允平, 胡道珊. GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位[J]. 电子与信息学报, 1982, 4(4): 242-247.
Wu Xiang-Sheng, Yang Yi, Chen Pei-Ran, Xu Shao-Hua, Li Yun-Ping, Hu Dao-Shan. MISPLACED p-n JUNCTION IN D. H. GaInAsP/InP WAFER GROWN BY LPE[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1982, 4(4): 242-247.
Citation: Wu Xiang-Sheng, Yang Yi, Chen Pei-Ran, Xu Shao-Hua, Li Yun-Ping, Hu Dao-Shan. MISPLACED p-n JUNCTION IN D. H. GaInAsP/InP WAFER GROWN BY LPE[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1982, 4(4): 242-247.

GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位

MISPLACED p-n JUNCTION IN D. H. GaInAsP/InP WAFER GROWN BY LPE

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    出版历程
    • 收稿日期:  1981-04-11
    • 刊出日期:  1982-07-19

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