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象增强硅靶摄象管移象区设计

郎良 甘治华 殷维钧

郎良, 甘治华, 殷维钧. 象增强硅靶摄象管移象区设计[J]. 电子与信息学报, 1984, 6(1): 74-79.
引用本文: 郎良, 甘治华, 殷维钧. 象增强硅靶摄象管移象区设计[J]. 电子与信息学报, 1984, 6(1): 74-79.
Lang Liang, Gan Zhi-Hua, Yin Wei-Jun. DESIGN OF THE SHIFTING SECTION OF AN INTENSIFIER SILICON TARGET PICK-UP TUBE[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1984, 6(1): 74-79.
Citation: Lang Liang, Gan Zhi-Hua, Yin Wei-Jun. DESIGN OF THE SHIFTING SECTION OF AN INTENSIFIER SILICON TARGET PICK-UP TUBE[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1984, 6(1): 74-79.

象增强硅靶摄象管移象区设计

DESIGN OF THE SHIFTING SECTION OF AN INTENSIFIER SILICON TARGET PICK-UP TUBE

  • 摘要: 正 (一)引言 随着微光和夜视技术的飞速发展,本世纪七十年代出现了高灵敏度的象增强硅靶摄象管(SIT),并立刻引起科研、军事和商业方面的注意。首先研制出的是1英寸(即光电阴极有效直径为25mm)管。在日本命名硅靶电子倍增摄象管(SEM)。在美国,则称为电子轰击硅管(EBS)或象增强硅视象管(ISV)。该管的高灵敏度与其移象区设计的优劣
      关键词:
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  • 甘治华、朱昌昌,40 /25mmSIT管研制进展,四机部1431所内部资料,1981年.[4]204研究所、北京工业学院、211研究所,变象管及象增强器电子光学系统的数值计算与设计(内部报告),1975年.[5]周立伟,夜视器件的电子光学(第一册),北京工业学院,1977年.
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-09-17
  • 刊出日期:  1984-01-19

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