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VVMOS功率晶体管的负阻击穿

季超仁 徐志平 赵国柱

季超仁, 徐志平, 赵国柱. VVMOS功率晶体管的负阻击穿[J]. 电子与信息学报, 1982, 4(6): 346-353.
引用本文: 季超仁, 徐志平, 赵国柱. VVMOS功率晶体管的负阻击穿[J]. 电子与信息学报, 1982, 4(6): 346-353.
Ji Chao-Ren, Xu Zhi-Ping, Zhao Guo-Zhu. THE NEGATIVE RESISTANCE BREAKDOWN EFFECT IN VVMOS POWER TRANSISTOR[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1982, 4(6): 346-353.
Citation: Ji Chao-Ren, Xu Zhi-Ping, Zhao Guo-Zhu. THE NEGATIVE RESISTANCE BREAKDOWN EFFECT IN VVMOS POWER TRANSISTOR[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1982, 4(6): 346-353.

VVMOS功率晶体管的负阻击穿

THE NEGATIVE RESISTANCE BREAKDOWN EFFECT IN VVMOS POWER TRANSISTOR

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    出版历程
    • 收稿日期:  1981-07-16
    • 刊出日期:  1982-11-19

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