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砷化镓表面自旋极化光电子发射

周清 赵守珍 李育民 方兰 张黎明

周清, 赵守珍, 李育民, 方兰, 张黎明. 砷化镓表面自旋极化光电子发射[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(2): 219-224.
引用本文: 周清, 赵守珍, 李育民, 方兰, 张黎明. 砷化镓表面自旋极化光电子发射[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(2): 219-224.
Zhou Qing, Zhao Shouzhen, Li Yuming, Fang Lan, Zhang Liming. THE SPIN POLARIZED EFFECT OF PHOTOELECTRONS EMITTED FROM GaAs SURFACE[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1990, 12(2): 219-224.
Citation: Zhou Qing, Zhao Shouzhen, Li Yuming, Fang Lan, Zhang Liming. THE SPIN POLARIZED EFFECT OF PHOTOELECTRONS EMITTED FROM GaAs SURFACE[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1990, 12(2): 219-224.

砷化镓表面自旋极化光电子发射

THE SPIN POLARIZED EFFECT OF PHOTOELECTRONS EMITTED FROM GaAs SURFACE

  • 摘要: 本文详细地介绍了在圆偏振光作用下,NEA GaAs表面发射目旋极化光电子的原理,及NEA GaAs表面的制备和装置。介绍了表面Cs-O激活的方法。在用此法激活的NEA GaAs(100)表面上可得到灵敏度为8A/mW,极化度约用35%以上的光电子束。发现清洁的GaAs表面覆盖以50%60%Cs单原子层时,光电子的发射出现第一个极大值,同时发现稳定的发射取决于铯吸附量。
  • E. Garwin, D. T. Pierce et al., Phys. Acta, 47(1974), 343.[2]D. T. Pierce,Felix Meier, Phys. Rev., B13(1976) 12, 5484-5500.[3]D. T. Pierce et al., Rev. Sct. Instrum., 51(1980) 4, 478-499.[4]J. Kessier, Polarized Electrons, Berlin, springer,1976.[5]周清等,真空科学与技术,7(1987),404-406.[6]周清等,真空科学与技术,8(1988),59-62.[7]B. Reihl et al., Phys. Rev., B19(1979), 6358-6366.
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-09-29
  • 修回日期:  1989-07-18
  • 刊出日期:  1990-03-19

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