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砷化镓气相掺硫外延和亚微米薄层的制备

彭瑞伍 孙裳珠 沈松华

彭瑞伍, 孙裳珠, 沈松华. 砷化镓气相掺硫外延和亚微米薄层的制备[J]. 电子与信息学报, 1983, 5(1): 16-23.
引用本文: 彭瑞伍, 孙裳珠, 沈松华. 砷化镓气相掺硫外延和亚微米薄层的制备[J]. 电子与信息学报, 1983, 5(1): 16-23.
Peng Rui-Wu, Sun Shang-Zhu, Shen Song-Hua. THE SULPHUR INCORPORATION AND THE GROWTH OFSUBMICRON THIN FILM IN GaAs VAPOR PHASEEPITAXY SYSTEM[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1983, 5(1): 16-23.
Citation: Peng Rui-Wu, Sun Shang-Zhu, Shen Song-Hua. THE SULPHUR INCORPORATION AND THE GROWTH OFSUBMICRON THIN FILM IN GaAs VAPOR PHASEEPITAXY SYSTEM[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1983, 5(1): 16-23.

砷化镓气相掺硫外延和亚微米薄层的制备

THE SULPHUR INCORPORATION AND THE GROWTH OFSUBMICRON THIN FILM IN GaAs VAPOR PHASEEPITAXY SYSTEM

  • 摘要: 本文介绍了Ga-AsCl3-H2体系,研究了气相外延时硫的掺杂行为,讨论了硫的掺杂机理和生长了亚微米薄层。制得的亚微米外延层的质量表明,表面形貌良好,缺陷少,重复性好。典型的电学性质为:当厚度0.4m和浓度为121017/cm3时,击穿电压VB=710V。在单层和多层外延结构中,界面浓度基本是突变的,过渡区约0.1m。这些外延片已用于制备变容管和远红外探测器等。
      关键词:
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  • 彭瑞伍、孙裳珠、沈松华,金属学报,16 (1980), 308.[2]彭瑞伍、孙裳珠、沈松华,1977年全国砷化稼及其Ⅲ-V族化合物半导体会议文集,上海科学技术出版社,第254页.[3]彭瑞伍、孙裳珠、沈松华,电子学报,1(1978), 23.[5]Y. G. Sidorov and L. F. Vasilova, J. Electrochem. Sec., 123(1976), 698.[6]C. M. Wolfe and G. E. Stillman, Solid-st. Communi, 12(1973), 283.[7]彭瑞伍、孙裳珠、沈松华,电子与自动化,6(1977), 1.[8]M .Heyen, H. Bruch, K. H. Bachem and P. Balk, J. Cryst. Growth, 42(1977), 127.[11]L. C. Luther and J. V. Dilorenzo, J. Electrochem. Sec., 122(1975), 760.[12]Н.Х.Абрикосов,В.С.Зепсков,Легированные полупрованные полупроводники,Изд.Наука,Москва,1975,стр. 170.[13]N. Goldsmith and W. Oshinsky, RCA. Rev., 24(1963), 549.[14]P. Rai-Choudhury, J. Cryst, Growth, 11(1971), 113.[15]A. Boucher and L. Hollan, J. Eleetrochem. Soc., 117(1970), 932.[16]Ю.Г.Сидоов,А.В.Сидоова,С.А.Двореечкий,ж,Неор.Матер., 8(1972),1738.[17]M.Tabe and H. Nakamura, J. Electrochem. Soc., 126(1979), 822.[18]L. Hollan, M. Boulou and J. P. Chane, JEM, 10(1981), 193.[19]丁永庆、彭瑞伍、陆凤贞,科技通讯,1(1979), 11.[20]陈自姚、邵永富、彭瑞伍,科技通讯,2 (1980), 20;科学通报即将发表.[21]彭瑞伍,第五届国际气相生长和外延会议/第五届美国晶体生长会议特约报告,1981. 7.美国,圣地亚哥.
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-04-28
  • 刊出日期:  1983-01-19

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