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记忆效应非线性功放扩展Volterra模型分析与构建

南敬昌 刘元安 李新春 高锦春

引用本文: 南敬昌, 刘元安, 李新春, 高锦春. 记忆效应非线性功放扩展Volterra模型分析与构建[J]. 电子与信息学报, 2008, 30(8): 2021-2024. doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.00121 shu
Citation:  Nan Jing-chang, Liu Yuan-an, Li Xin-chun, Gao Jin-chun. Analysis and Modeling on Expanding Volterra-Series Behavior Model for Nonlinear Power Amplifier with Memory Effects[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 2008, 30(8): 2021-2024. doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.00121 shu

记忆效应非线性功放扩展Volterra模型分析与构建

摘要: 通用Volterra级数行为模型由于较高计算复杂性使它受限用于弱非线性放大器。为了减少Volterra级数计算复杂性和级数核系数的数量,本文提出了两种方案:基于正交多项式函数Chebyshev和基于正交多项式函数Laguerre的Volterra级数,推导了Volterra-Chebyshev和Volterra-Laguerre的行为模型数学表达式,并对Volterra- Laguerre模型进行了仿真。数学理论分析和仿真结果表明,与普通Volterra级数模型相比,Volterra-Chebyshev和Volterra-Laguerre行为模型具有简化的结构和减少的系数。

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文章相关
  • 收稿日期:  2007-01-19
  • 录用日期:  2008-01-30
  • 刊出日期:  2008-08-19
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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