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氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质

俞跃辉 林成鲁 朱文化 邹世昌 卢江

俞跃辉, 林成鲁, 朱文化, 邹世昌, 卢江. 氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(5): 489-495.
引用本文: 俞跃辉, 林成鲁, 朱文化, 邹世昌, 卢江. 氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(5): 489-495.
Yu Yuehui, Lin Chenglu, Zhu Wenhua, Zou Shichang, Lu Jiang. OPTICAL EFFECTS AND MICROSTRUCTURE OF BURIED INSULATION LAYER FORMED BY O~+ AND N~+ CO-IMPLANTATION[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1991, 13(5): 489-495.
Citation: Yu Yuehui, Lin Chenglu, Zhu Wenhua, Zou Shichang, Lu Jiang. OPTICAL EFFECTS AND MICROSTRUCTURE OF BURIED INSULATION LAYER FORMED BY O~+ AND N~+ CO-IMPLANTATION[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1991, 13(5): 489-495.

氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质

OPTICAL EFFECTS AND MICROSTRUCTURE OF BURIED INSULATION LAYER FORMED BY O~+ AND N~+ CO-IMPLANTATION

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    出版历程
    • 收稿日期:  1990-06-04
    • 修回日期:  1990-09-19
    • 刊出日期:  1991-09-19

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