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高能离子注入硅的无损表征

俞跃辉 朱南昌 邹世昌 周筑颖 赵国庆

俞跃辉, 朱南昌, 邹世昌, 周筑颖, 赵国庆. 高能离子注入硅的无损表征[J]. 电子与信息学报, 1996, 18(1): 104-108.
引用本文: 俞跃辉, 朱南昌, 邹世昌, 周筑颖, 赵国庆. 高能离子注入硅的无损表征[J]. 电子与信息学报, 1996, 18(1): 104-108.
Yu Yuehui, Zhu Nanchang, Zou Shichang, Zhou Zhuying, Zhao Guoqing. NON-DESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MeV ION IMPLANTED SILICON[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1996, 18(1): 104-108.
Citation: Yu Yuehui, Zhu Nanchang, Zou Shichang, Zhou Zhuying, Zhao Guoqing. NON-DESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MeV ION IMPLANTED SILICON[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1996, 18(1): 104-108.

高能离子注入硅的无损表征

NON-DESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MeV ION IMPLANTED SILICON

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    出版历程
    • 收稿日期:  1994-06-27
    • 修回日期:  1994-10-10
    • 刊出日期:  1996-01-19

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