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注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷

梁振宪 罗晋生

梁振宪, 罗晋生. 注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(1): 65-70.
引用本文: 梁振宪, 罗晋生. 注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(1): 65-70.
Liang Zhenxian, Luo Jinsheng. DEEP LEVEL DEFECTS IN Si-IMPLANTED LEC UNDOPED SI-GaAs[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1991, 13(1): 65-70.
Citation: Liang Zhenxian, Luo Jinsheng. DEEP LEVEL DEFECTS IN Si-IMPLANTED LEC UNDOPED SI-GaAs[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1991, 13(1): 65-70.

注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷

DEEP LEVEL DEFECTS IN Si-IMPLANTED LEC UNDOPED SI-GaAs

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    出版历程
    • 收稿日期:  1989-10-14
    • 修回日期:  1990-02-26
    • 刊出日期:  1991-01-19

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