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砷化镓面发光管输出光功率某些问题的探讨

黎锡强 孙炳玉

黎锡强, 孙炳玉. 砷化镓面发光管输出光功率某些问题的探讨[J]. 电子与信息学报, 1985, 7(3): 220-226.
引用本文: 黎锡强, 孙炳玉. 砷化镓面发光管输出光功率某些问题的探讨[J]. 电子与信息学报, 1985, 7(3): 220-226.
Li Xiqiang, Sun Bingyu. INVESTIGATION OF PROBLEMS ABOUT THE LIGHT POWER OUTPUT OF GaAs/GaAlAs DH SURFACE EMITTING DIODES[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1985, 7(3): 220-226.
Citation: Li Xiqiang, Sun Bingyu. INVESTIGATION OF PROBLEMS ABOUT THE LIGHT POWER OUTPUT OF GaAs/GaAlAs DH SURFACE EMITTING DIODES[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1985, 7(3): 220-226.

砷化镓面发光管输出光功率某些问题的探讨

INVESTIGATION OF PROBLEMS ABOUT THE LIGHT POWER OUTPUT OF GaAs/GaAlAs DH SURFACE EMITTING DIODES

  • 摘要: 用改进了的射频溅射仪,在GaAs/GaAlAs DH面发光管的窗口上沉积一层厚度近于/4的Al2O3抗反射层后,其输出光功率增高了3066%。而在相同涂层条件下,退化发光管输出光功率的提高则不到30%,这可能与其体内形成缺陷有关。
      关键词:
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-08-16
  • 修回日期:  1984-09-17
  • 刊出日期:  1985-05-19

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