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砷化镓双异质结高辐射度发光管的研制

泮慧珍 张桂成 徐少华 逄永秀 程宗权 富小妹 朱黎明 胡道珊

泮慧珍, 张桂成, 徐少华, 逄永秀, 程宗权, 富小妹, 朱黎明, 胡道珊. 砷化镓双异质结高辐射度发光管的研制[J]. 电子与信息学报, 1981, 3(1): 22-28.
引用本文: 泮慧珍, 张桂成, 徐少华, 逄永秀, 程宗权, 富小妹, 朱黎明, 胡道珊. 砷化镓双异质结高辐射度发光管的研制[J]. 电子与信息学报, 1981, 3(1): 22-28.
Pan Hui-Zhen, Zhang Gui-Cheng, Xu Shao-Hua, Pang Yong-Xiu, Cheng Zong-Quan, Fu Xiao-Mei, Zhu Li-Ming, Hu Dao-Shan. THE STUDY OF GaAs DOUBLE HETEROJUNCTION HIGH-RADIANCE LIGHT-EMITTING DIODES[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1981, 3(1): 22-28.
Citation: Pan Hui-Zhen, Zhang Gui-Cheng, Xu Shao-Hua, Pang Yong-Xiu, Cheng Zong-Quan, Fu Xiao-Mei, Zhu Li-Ming, Hu Dao-Shan. THE STUDY OF GaAs DOUBLE HETEROJUNCTION HIGH-RADIANCE LIGHT-EMITTING DIODES[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1981, 3(1): 22-28.

砷化镓双异质结高辐射度发光管的研制

THE STUDY OF GaAs DOUBLE HETEROJUNCTION HIGH-RADIANCE LIGHT-EMITTING DIODES

  • 摘要: 用液相外延技术生长GaAs-Ga1-XAlXAs双异质结材料,并制成小面积高辐射度发光二极管。辐射度高达100w/srcm2以上,尾纤(芯径60m,N.A.=0.17)输出功率最高达200W,外推工作寿命105小时。已用于1.8公里,8.448Mb/S,PCM-120路光纤电话通信系统。对器件的工作特性进行了分析,讨论了影响因素及改进途径。
      关键词:
    •  
  • C. A. Burrus, Optic. Comm.,4(1971), 307.[2]泮慧珍、邬祥生,黄磊,科技通讯,1978,第3期,第7页.[4]H. F. Lockwood and M. Ettenberg, J. Crystal growth, 15(1972),81.[5]]张桂成等,科技通讯,1978,第3期,第51页.[6]Shigonebu Yamakoshi, et al., Appl. Phys. Lett., 31(1977), 627.[7]J. I. Pankove, IEEE J. Quantum Electron QE-4(1968), 119.
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出版历程
  • 收稿日期:  1980-02-21
  • 刊出日期:  1981-01-19

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