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硅CVD外延自掺杂效应的分析研究

刘玉岭 金杰 徐晓辉 张德臣

刘玉岭, 金杰, 徐晓辉, 张德臣. 硅CVD外延自掺杂效应的分析研究[J]. 电子与信息学报, 1996, 18(3): 332-336.
引用本文: 刘玉岭, 金杰, 徐晓辉, 张德臣. 硅CVD外延自掺杂效应的分析研究[J]. 电子与信息学报, 1996, 18(3): 332-336.
Liu Yuling, Jin Jie, Xu Xiaohui, Zhang Dechen. RESEARCH ON REDUCING THE SELF-DOPING DURING SILICON CVD EPITAXY[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1996, 18(3): 332-336.
Citation: Liu Yuling, Jin Jie, Xu Xiaohui, Zhang Dechen. RESEARCH ON REDUCING THE SELF-DOPING DURING SILICON CVD EPITAXY[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1996, 18(3): 332-336.

硅CVD外延自掺杂效应的分析研究

RESEARCH ON REDUCING THE SELF-DOPING DURING SILICON CVD EPITAXY

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    出版历程
    • 收稿日期:  1994-05-13
    • 修回日期:  1995-06-12
    • 刊出日期:  1996-05-19

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