高级搜索

深能级中心的电场增强载流子产生效应

丁扣宝 张秀淼

引用本文: 丁扣宝, 张秀淼. 深能级中心的电场增强载流子产生效应[J]. 电子与信息学报, 1994, 16(1): 61-66. shu
Citation:  Ding Koubao, Zhang Xiumiao. THE FIELD ENHANCED CARRIER GENERATION EFFECT OF DEEP LEVEL CENTERS[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1994, 16(1): 61-66. shu

深能级中心的电场增强载流子产生效应

摘要: 本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应;指出应全面考虑库仑发射和非库仑发射对载流于产生率的影响;给出了相应的产生率计算公式。对计算机计算结果的分析表明,以往的只考虑库仑发射的模型过于简单,本文理论可以较满意地解释有关的实验结果。

English

计量
  • PDF下载量:  450
  • 文章访问数:  1745
  • HTML全文浏览量:  12
文章相关
  • 收稿日期:  1992-06-30
  • 录用日期:  1993-01-07
  • 刊出日期:  1994-01-19
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
  • 1. 

    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

  1. 本站搜索
  2. 百度学术搜索
  3. 万方数据库搜索
  4. CNKI搜索

/

返回文章