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-Si∶H摄象管靶的光谱响应和最佳靶厚

海宇涵

海宇涵. -Si∶H摄象管靶的光谱响应和最佳靶厚[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(2): 169-176.
引用本文: 海宇涵. -Si∶H摄象管靶的光谱响应和最佳靶厚[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(2): 169-176.
Hai Yuhan. PHOTORESPONSE AND OPTIMAL THICKNESS OF -Si:H TARGET FOR VIDICON[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1991, 13(2): 169-176.
Citation: Hai Yuhan. PHOTORESPONSE AND OPTIMAL THICKNESS OF -Si:H TARGET FOR VIDICON[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1991, 13(2): 169-176.

-Si∶H摄象管靶的光谱响应和最佳靶厚

PHOTORESPONSE AND OPTIMAL THICKNESS OF -Si:H TARGET FOR VIDICON

  • 摘要: 用动态系统测量了-Si∶H靶电压对光谱响应的影响,发现对短波响应影响较大。推导了靶光电流is和饱和电压Vs的计算公式,发现Vs[(p,p)-1,2]。从测量的Vs值,计算了pp值。发现它随入照光波长的缩短而减小。估算了对单色光和对白光的最佳靶厚。
  • I. Imamura, et al., Appl. Phys. Lett., 35(1979), 349.[2]海宇涵等,关于开展非晶硅靶摄象管的探索性研究的报告,中国科学院电子学研究所内部资料,北京,1979年.[3]刘亚坤,科学报,1985年3月17日,第1版.[4]海宇涵等,高灵敏度-Si: H靶摄象管的研制,中国电于学会第四届年会论文集,北京,1987年,p.77.[5]海宇涵等,电子科学学刊,10(1988),528-535.[6]S. Oda, et al., Amorphous Semiconductor Technologies and Devices, edited by Y. Hamakawa, Ohmsha, Tokyo,(1983), p.113.[7]S. Ishioka, et al., Jpn. J. Appl. Phys.,22(1983),Suppl., 22-1,461.[8]D. Carlson, Advances in Amorphous Silicon Solar Cells, Proc. 14th IEEE-Photovoltaic Specia lists Conf., San Diego,(1980), p.291.[9]P. Zanzucchi, et al., J. Appl. Phys., 48(1977), 5227.[10]R. LLoveland, et al., J.Non-Cryst. Solids, 13(1973/74), 55.[11]D. Carlson, C. Wranski, Amorphous Semiconductors, ed. M. Brodsky, Spring-Verlag, Berlin (1979), p.302.[12]D. Staebler, C. Wranski, Appl. Phys. Lett., 31(1977),292.[13]S. Oda, et al., J. Appl. Phys., 52(1981), 7275.[14]应根裕等,非晶硅摄象管靶面研究,北京电子学会年会报告,北京1985年.
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-10-20
  • 修回日期:  1990-06-25
  • 刊出日期:  1991-03-19

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