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等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的设计和研究

朱大中

引用本文: 朱大中. 等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的设计和研究[J]. 电子与信息学报, 1998, 20(3): 429-432. shu
Citation:  Zhu Dazhong. DESIGN AND RESEARCH OF QUASI-PLANAR SELF-ALIGNED SILICON AVALANCHE ELECTRON EMISSION ARRAY[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 1998, 20(3): 429-432. shu

等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的设计和研究

摘要: 本文报道了等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的结构设计和工艺过程。该器件的电子发射区域边缘的工艺台阶仅为10nm,其自对准的浅砷注入电流通道区宽度仅为3m。与已报道的其它结构硅雪崩击穿电子发射器件相比较,该器件的电流电压特性曲线有更宽的线性区域和更低的通导电阻。本文也对其电子发射特性作了部分介绍。

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文章相关
  • 收稿日期:  1996-07-16
  • 录用日期:  1997-05-20
  • 刊出日期:  1998-05-19
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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