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基于二极管单元的高密度掩模ROM设计

叶勇 亢勇 宋志棠 陈邦明

叶勇, 亢勇, 宋志棠, 陈邦明. 基于二极管单元的高密度掩模ROM设计[J]. 电子与信息学报, 2017, 39(6): 1452-1457. doi: 10.11999/JEIT160938
引用本文: 叶勇, 亢勇, 宋志棠, 陈邦明. 基于二极管单元的高密度掩模ROM设计[J]. 电子与信息学报, 2017, 39(6): 1452-1457. doi: 10.11999/JEIT160938
YE Yong, KANG Yong, SONG Zhitang, CHEN Bangming. Design of High-density Mask ROM Based on Diode Cells[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 2017, 39(6): 1452-1457. doi: 10.11999/JEIT160938
Citation: YE Yong, KANG Yong, SONG Zhitang, CHEN Bangming. Design of High-density Mask ROM Based on Diode Cells[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 2017, 39(6): 1452-1457. doi: 10.11999/JEIT160938

基于二极管单元的高密度掩模ROM设计

doi: 10.11999/JEIT160938
基金项目: 

中国科学院战略性先导科技专项(XDA09020402),国家重点基础研究发展计划(2013CBA01904, 2013CBA01900, 2010CB 934300, 2011CBA00607, 2011CB932804),国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003),国家自然科学基金(61076121, 61176122, 61106001, 61261160500, 61376006)

Design of High-density Mask ROM Based on Diode Cells

Funds: 

Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences (XDA09020402), The National Key Basic Research Program of China (2013CBA01904, 2013CBA01900, 2010CB934300, 2011CBA00607, 2011CB932804), The National Integrate Circuit Research Program of China (2009ZX02023-003), The National Natural Science Foundation of China (61076121, 61176122, 61106001, 61261160500, 61376006)

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    出版历程
    • 收稿日期:  2016-09-19
    • 修回日期:  2017-01-22
    • 刊出日期:  2017-06-19

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