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一种AlGaN/GaN HEMT非线性器件模型参数提取的方法

常永明 毛维 杜林 郝跃

常永明, 毛维, 杜林, 郝跃. 一种AlGaN/GaN HEMT非线性器件模型参数提取的方法[J]. 电子与信息学报, 2017, 39(12): 3039-3044. doi: 10.11999/JEIT170097
引用本文: 常永明, 毛维, 杜林, 郝跃. 一种AlGaN/GaN HEMT非线性器件模型参数提取的方法[J]. 电子与信息学报, 2017, 39(12): 3039-3044. doi: 10.11999/JEIT170097
CHANG Yongming, MAO Wei, DU Lin, HAO Yue . A Method for AlGaN/GaN HEMT Nonlinear Device Model Parameter Extraction[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 2017, 39(12): 3039-3044. doi: 10.11999/JEIT170097
Citation: CHANG Yongming, MAO Wei, DU Lin, HAO Yue . A Method for AlGaN/GaN HEMT Nonlinear Device Model Parameter Extraction[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 2017, 39(12): 3039-3044. doi: 10.11999/JEIT170097

一种AlGaN/GaN HEMT非线性器件模型参数提取的方法

doi: 10.11999/JEIT170097
基金项目: 

国家自然科学基金(61574112 ),陕西省自然科学基础研究计划(605119425012)

A Method for AlGaN/GaN HEMT Nonlinear Device Model Parameter Extraction

Funds: 

The National Natural Science Foundation of China (61574112), The Natural Science Foundation Research Project of Shaanxi Provience (605119425012)

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    出版历程
    • 收稿日期:  2017-01-24
    • 修回日期:  2017-09-18
    • 刊出日期:  2017-12-19

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