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荷控忆阻器记忆衰退的寄生效应

沈怡然 李付鹏 王光义

沈怡然, 李付鹏, 王光义. 荷控忆阻器记忆衰退的寄生效应[J]. 电子与信息学报, 2020, 42(4): 844-850. doi: 10.11999/JEIT190865
引用本文: 沈怡然, 李付鹏, 王光义. 荷控忆阻器记忆衰退的寄生效应[J]. 电子与信息学报, 2020, 42(4): 844-850. doi: 10.11999/JEIT190865
Yiran SHEN, Fupeng LI, Guangyi WANG. The Role of Parasitic Elements in Fading Memory of A Charge Controlled Memristor[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 2020, 42(4): 844-850. doi: 10.11999/JEIT190865
Citation: Yiran SHEN, Fupeng LI, Guangyi WANG. The Role of Parasitic Elements in Fading Memory of A Charge Controlled Memristor[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 2020, 42(4): 844-850. doi: 10.11999/JEIT190865

荷控忆阻器记忆衰退的寄生效应

doi: 10.11999/JEIT190865
基金项目: 国家自然科学基金(61771176,61801154)
详细信息
    作者简介:

    沈怡然:男,1979年生,实验师,研究方向为非线性电路与系统

    李付鹏:男,1986年生,助理实验师,研究方向为非线性电路与系统

    王光义:男,1957年生,教授,研究方向为非线性电路与系统

    通讯作者:

    李付鹏 lfp_99@hdu.edu.cn

  • 中图分类号: TN601

The Role of Parasitic Elements in Fading Memory of A Charge Controlled Memristor

Funds: The National Natural Science Foundation of China(61771176, 61801154)
  • 图(11)
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    • 文章访问数:  882
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    • PDF下载量:  47
    • 被引次数: 0
    出版历程
    • 收稿日期:  2019-11-01
    • 修回日期:  2019-12-26
    • 网络出版日期:  2020-01-06
    • 刊出日期:  2020-06-04

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