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SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造

沈珮 张万荣 金冬月 谢红云

沈珮, 张万荣, 金冬月, 谢红云. SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造[J]. 电子与信息学报, 2010, 32(8): 2028-2032. doi: 10.3724/SP.J.1146.2009.01016
引用本文: 沈珮, 张万荣, 金冬月, 谢红云. SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造[J]. 电子与信息学报, 2010, 32(8): 2028-2032. doi: 10.3724/SP.J.1146.2009.01016
Shen Pei, Zhang Wan-Rong, Jin Dong-Yue, Xie Hong-Yun. Design and Fabrication of SiGe HBT Low Noise Amplifier[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 2010, 32(8): 2028-2032. doi: 10.3724/SP.J.1146.2009.01016
Citation: Shen Pei, Zhang Wan-Rong, Jin Dong-Yue, Xie Hong-Yun. Design and Fabrication of SiGe HBT Low Noise Amplifier[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 2010, 32(8): 2028-2032. doi: 10.3724/SP.J.1146.2009.01016

SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造

doi: 10.3724/SP.J.1146.2009.01016
基金项目: 

国家自然科学基金(60776051, 60376033),北京市自然科学基金(4082007),北京市教委科技发展计划(KM200710005015, KM200910005001),北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划(102(KB)-00856),北京市优秀跨世纪人才基金(67002013200301)和北京工业大学第七届研究生科技基金资助课题

Design and Fabrication of SiGe HBT Low Noise Amplifier

  • 摘要: 该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35 m Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282 mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2 GHz内,LNA噪声系数低至2.5 dB,增益高达26.7 dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4 dB和-10 dB。
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-07-17
  • 修回日期:  2009-11-26
  • 刊出日期:  2010-08-19

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