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脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能

彭真 阴生毅 郑强 王欣欣 王宇 李阳

彭真, 阴生毅, 郑强, 王欣欣, 王宇, 李阳. 脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能[J]. 电子与信息学报, 2014, 36(3): 754-757. doi: 10.3724/SP.J.1146.2013.00566
引用本文: 彭真, 阴生毅, 郑强, 王欣欣, 王宇, 李阳. 脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能[J]. 电子与信息学报, 2014, 36(3): 754-757. doi: 10.3724/SP.J.1146.2013.00566
Peng Zhen, Yin Sheng-Yi, Zheng Qiang, Wang Xin-Xin, Wang Yu, LI Yang. Emission Performance of Scandate Cathodes Prepared by Pulse Laser Deposition[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 2014, 36(3): 754-757. doi: 10.3724/SP.J.1146.2013.00566
Citation: Peng Zhen, Yin Sheng-Yi, Zheng Qiang, Wang Xin-Xin, Wang Yu, LI Yang. Emission Performance of Scandate Cathodes Prepared by Pulse Laser Deposition[J]. Journal of Electronics and Information Technology, 2014, 36(3): 754-757. doi: 10.3724/SP.J.1146.2013.00566

脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能

doi: 10.3724/SP.J.1146.2013.00566

Emission Performance of Scandate Cathodes Prepared by Pulse Laser Deposition

  • 摘要: 为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求,该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaO- Sc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线,并探讨了发射机制。结果表明,在1100C工作温度下,该阴极的零场发射电流密度达到305.5 A/cm2;阴极表面形成的Ba-Sc-Sr-O活性层是阴极获得高发射性能的主要原因。文章还利用半导体模型解释了该阴极的非正常肖特基效应。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-04-25
  • 修回日期:  2013-07-27
  • 刊出日期:  2014-03-19

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