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一种基于分层译码和Min-max的多进制LDPC码译码算法
杨威, 张为
2013, 35(7): 1677-1681. doi: 10.3724/SP.J.1146.2012.01634  刊出日期:2013-07-19
关键词: 非二进制低密度奇偶校验码(NB-LDPC), 分层译码, Min-max, 准循环码
该文在现有译码算法的基础上提出一种高效的非二进制低密度奇偶校验码(NB-LDPC)译码方法,充分利用了分层译码算法与Min-max算法的优点,不但译码复杂度低、需要的存储空间小,而且可将译码速度提高一倍。应用该算法,对一种定义在GF(25)上的(620,509)码进行了仿真。该码的仿真结果表明:在相同误码率下,该文译码算法所需最大迭代次数仅为Zhang的算法(2011)的45%。
锑的两硷金属化合物光阴极的性能
陶兆民
1979, 1(1): 48-50.  刊出日期:1979-03-19
正 一、硷金属元素(Li、Na、K、Rb、Cs)的性能 元素周期表中第一主族元素硷金属的性能有它的规律性。例如:按Li、Na、K、Rb、Cs的顺序,由于原子半径逐渐增大,原子最外层电子与核之间的吸引力逐渐减小,因此,最外层电子则按Cs、Rb、K、Na、Li的顺序比较易于脱离原子。它们表现出来的效果就是按Li、Na、K、Rb、Cs的顺序,金属性逐渐增强,化学性逐渐活泼,逸出功逐渐变小,光电发射灵敏度逐渐增大,光谱响应的峰值(峰)与阈值(阈)逐渐移向长波。硷金属元素的这些性能如表1所列
用胶体-原子薄片模型计算W(100)-Cs吸附系统的逸出功
王宁, 王鼎盛
1986, 8(6): 408-415.  刊出日期:1986-11-19
碱或碱土金属的原子吸附于过渡金属表面时,会使后者的逸出功急剧下降。作者提出了胶体-原子薄片模型来研究这一现象。过渡金属基底用薄膜线性级加平面波(LAPW)法精确处理,而简单金属覆层则用胶体(jellium)模拟。此模型可在充分考虑构成基底的过渡金属特点的情况下,研究单原子层覆盖度以下的吸附系统的电子性质。 文中给出了计算所得W(100)面吸附Cs后的-曲线。所得逸出功极小值min=1.441.48eV与实验结果(min=1.351.55eV)吻合较好,文中还讨论了Ev参量的选择等问题。
基于FPGA和2位串行分布式算法的实时高速二维DCT/IDCT处理器研制
向晖, 滕建辅, 王承宁
1999, 21(6): 797-805.  刊出日期:1999-11-19
关键词: 现场可编程门阵列; 二维DCT/IDCT处理器; 分布式算法
本文在W.Li(1991)循环斜卷积算法和分布式算法的基础上,通过软件模拟和具体硬件设计,利用FPGA完成了可用于高清晰度电视核心解码器及其它信号与信息处理系统的88二维DCT/IDCT处理器的全部电路设计工作。它采用一根信号线控制计算DCT/IDCT,其输入、输出为12位,内部数据线及内部参数均为16位。
一种安全的群签名方案
王晓明, 符方伟
2003, 25(5): 657-663.  刊出日期:2003-05-19
关键词: 密码学; 群签名; 伪造攻击; 可注销群成员
对Tseng-Jan(1999)的群签名方案提出了一种新的伪造攻击,任何人利用这种攻击都能伪造出有效的群签名。针对该文提出的伪造攻击和Z.C.Li等人(2000)提出的伪造攻击,对 Tseng-Jan的群签名方案进行了改进,提出了一种新的安全群签名方案。新方案不仅能抵抗各种伪造攻击,而且保留了Tseng-Jan方案的主要优点,并且增加了群成员可注销的特性。
一组基于广义局部沃尔什变换的纹理特征
张志龙, 沈振康, 李吉成
2006, 28(6): 1031-1035.  刊出日期:2006-06-19
关键词: 图像处理;模式识别;广义局部沃尔什变换;纹理特征
该文提出一组基于广义局部沃尔什变换(GLWT)的纹理特征。首先给出局部沃尔什变换(LWT)的定义,并在空域中对其加以推广,用以提取图像的局部纹理信息;然后在一个宏窗口中估计12个GLWT系数的二阶矩作为图像的纹理特征。对这组纹理特征的鉴别性能进行了分析,并与Haralick(1973),Wang Li(1990),以及Yu Hui提出的纹理特征进行了比较。实验结果表明,该文提出的纹理特征具有更好的鉴别性能和分类能力。
InP/InGaAs(P)材料中的低温开管Zn扩散
李维旦, 潘慧珍
1987, 9(6): 571-576.  刊出日期:1987-11-19
为了在InP/InGaAs(P)材料中进行精确的选择扩散,同时又要保证外延生长的多层异质结构不被破坏,提出了一种新的低温开管Zn扩散方法。该法直至在T=500℃,t=5min的条件下,重复性仍很好。应用该法研究了低温条件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的扩散行为。实验首次发现,Zn在InGaAsP材料中的扩散速率与材料中P含量的平方成正比。
Si(100)和(111)面和在其上Ni分子束外延的反射高能电子衍射研究
高铭台
1987, 9(5): 420-427.  刊出日期:1987-09-19
以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)77以及它的负区衍射图,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.150.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。
BF2+注入多晶硅栅的SIMS分析
刘家璐, 张廷庆, 张正选, 赵元富
1994, 16(5): 541-544.  刊出日期:1994-09-19
关键词: 二氟化硼; 硅栅; 离子注入; 二次离子质谱仪
文本采用SIMS技术,分析了BF2+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性。结果表明,80keV,21015和51015cm-2 BF2+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO2中。F在多晶硅和SiO2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。
p-InP与Au-Zn、Ti/Au、Pd/Au和Ti/Pd/Au接触时的界面性质和电学特性
张桂成, 程宗权, 俞志中
1986, 8(4): 265-271.  刊出日期:1986-07-19
本文用俄歇电子能谱和扫描电子显微镜等方法研究了p-InP与Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接触在热处理过程中的互扩散现象.结果表明:Au较Ti、Pd易向p-InP内扩散。研究了 p-InP/Au-Zn体系的合金化条件对比接触电阻(c)的影响。在 450℃热处理12 min或在 350℃热处理30 min,均可得到较低的比接触电阻,这表明界面处的互扩散程度是决定比接触电阻的重要因素。Au-Zn合金在蒸发和热处理的过程中,Zn趋向于凝集在最表面层,而不能充分发挥它在InP中的受主作用,这是该体系的c值偏高的原因之一。
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