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-Si∶H光电发射的漂移场模型
海宇涵, 陈远星, 臧宝翠
1991, 13(1): 57-64.  刊出日期:1991-01-19
关键词: 光阴极; 非晶硅; 量子效率; 漂移场; 电荷放大效应
本文分析了扩散型或漂移型或具有电荷放大效应的光阴极的量子效率。提出了具有内场或外场的-Si∶H光电发射模型。其结构是p-i-n -Si∶H/Bi2S3或SnO2--Si∶H-Al∶Cs∶O。估算了它们的量子效率和积分灵敏度。二者的量子效率为1-10,灵敏度为103-105A/lm。外场模型的实验表明,结构设计是正确的。
大通量辐照的NTD CZ Si 高温退火行为
张维连
1988, 10(5): 474-480.  刊出日期:1988-09-19
关键词: 中子嬗变掺杂直拉硅; 中照施主; 退火; 目标电阻率
本文研究了大通量辐照(1018n/cm2)的NTD CZ在750-1200℃范围内退火的行为。发现在该温度区间内会产生高浓度的中照施主,最高可达到1016cm-3。只有在高于1100℃退火才能获得准确的目标电阻率.探讨了大通量辐照NTD CZ Si的退火工艺,中照施主的形成及其消除条件。
-Si∶H膜中反常瞬态响应的光谱影响
海宇涵, 周忠毅
1985, 7(2): 108-113.  刊出日期:1985-03-19
测量夹心结构-Si∶H膜的瞬态响应谱时,发现无论是在低的正向偏压还是在低的反向偏压下,起始部分都出现不正常的尖形脉冲,它的幅度随光波长的增长而减小。零场瞬态谱的研究表明,这种不正常的非传输部分来源于结区,它的升降特点决定于光照时的空间电荷限制光电流。从光电流幅值与光吸收系数的关系式,我们发展了一种确定光学隙的方法。
用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应
海宇涵, 海灏, 奚中和, 张蔷
1999, 21(5): 686-691.  刊出日期:1999-09-19
关键词: 非晶硅; 电荷放大效应; 光电灵敏度法
测量了缝电极和梳形电极a-Si:H样品的光伏安特性和光电灵敏度,提出了由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法。由此法测出的a-Si:H的电荷放大增益,在105V/cm电场下,高达4.3103。本文从能态图讨论了a-Si:H中电荷放大效应的产生过程。由测量的增益值计算了电子迁移率与寿命之积。
La在Si/SiO2界面的电效应
李思渊, 张同军, 李寿嵩, 王毓珍
1985, 7(3): 238-240.  刊出日期:1985-05-19
正 (一)引言 除金(Au)以外,作者们还曾详细地介绍过稀有金属钯(Pd)、钆(Gd)、铑(Rh)等在si/SiO2界面呈现的类似的负电效应。并且讨论过该效应的普遍性及其改善器件表面性质的可能性。近来我们在实验中,又观察到镧(La)也是具有负电效应的杂质,同样能引起MOS结构C-V曲线,包括高频和准静态曲线,沿正栅压方向明显移动。本文介绍的是掺La界面电特性的主要结果。 (二)实验 MOS样品是在电阻率为812cm的111P型Si单晶片上制成的。Si片是经研磨、SiO2胶体抛光和化学抛光制成的,厚度约为300m。在1150℃下HC1和干氧的混合气流中氧化30min,使Si片表面生成厚度约为1200的SiO2薄膜。去除Si片背面的SiO2后,在干氮下,从背面扩入La,进而在不同条件(温度、时间、气氛等)下,对
Si(100)和(111)面和在其上Ni分子束外延的反射高能电子衍射研究
高铭台
1987, 9(5): 420-427.  刊出日期:1987-09-19
以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)77以及它的负区衍射图,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.150.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。
差分SPV法测量a-Si:H材料少子扩散长度的数学模型
张治国, 宿昌厚
1993, 15(5): 487-492.  刊出日期:1993-09-19
关键词: a-Si:H材料; 差分SPV测量; 扩散长度
用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素.
多层a-Si∶H/a-SiNx∶H薄膜中氢含量的研究
张同军
1989, 11(6): 656-660.  刊出日期:1989-11-19
关键词: 非晶硅; 多层膜; 退火处理; 氢的外扩散
将PECVD方法制备的多层a-Si∶H/a-SiNx∶H膜在N2气氛中进行不同温度的退火处理后,利用红外吸收谱、核反应方法,次级离子质谱(SIMS)和透射电镜(TEM)对膜中氢从表面渗出及其与温度的依赖关系进行了测试和分析。最后对氢的外扩散现象提出了几种可能的简单解释。
-Si∶H摄象管靶的光谱响应和最佳靶厚
海宇涵
1991, 13(2): 169-176.  刊出日期:1991-03-19
关键词: 摄象管靶; 非晶硅; 光谱响应; 饱和电压; 最佳靶厚
用动态系统测量了-Si∶H靶电压对光谱响应的影响,发现对短波响应影响较大。推导了靶光电流is和饱和电压Vs的计算公式,发现Vs[(p,p)-1,2]。从测量的Vs值,计算了pp值。发现它随入照光波长的缩短而减小。估算了对单色光和对白光的最佳靶厚。
光电导归一化法测量-Si:H隙态密度
徐乐, 刘启一
1986, 8(3): 217-222.  刊出日期:1986-05-19
本文用光电导归一化法得出 -Si:H膜在低吸收区的光吸收系数谱;用电子从价带的指数尾态和导带边以下1.0 eV处,由悬挂键形成的局域态到导带扩展态的跃迁,解释了实验结果;并从而得出费米能级EF以下的隙态密度,通过对复合动力学的研究,还得到费米能级以上(EFn-EF)的局域态密度的平均值,从而得出费米能级以上部份的态密度。结果表明导带尾比价带尾窄。
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