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一种基于分层译码和Min-max的多进制LDPC码译码算法
杨威, 张为
2013, 35(7): 1677-1681. doi: 10.3724/SP.J.1146.2012.01634  刊出日期:2013-07-19
关键词: 非二进制低密度奇偶校验码(NB-LDPC), 分层译码, Min-max, 准循环码
该文在现有译码算法的基础上提出一种高效的非二进制低密度奇偶校验码(NB-LDPC)译码方法,充分利用了分层译码算法与Min-max算法的优点,不但译码复杂度低、需要的存储空间小,而且可将译码速度提高一倍。应用该算法,对一种定义在GF(25)上的(620,509)码进行了仿真。该码的仿真结果表明:在相同误码率下,该文译码算法所需最大迭代次数仅为Zhang的算法(2011)的45%。
基于K-L散度的最大后验弧主导的混淆网络生成算法
王欢良, 韩纪庆, 郑铁然, 李海峰
2008, 30(5): 1109-1112. doi: 10.3724/SP.J.1146.2006.01760  刊出日期:2008-05-19
关键词: 语音识别; 混淆网络; Lattice; 混淆网络生成; K-L散度
为快速生成高质量混淆网络,该文提出一种最大后验弧主导的快速生成算法。它只需遍历一遍Lattice,具有线性时间复杂度。采用K-L散度(Kullback-Leibler Divergence,KLD)来度量弧标号之间的发音相似性,改善了混淆网络生成中弧对齐的准确性。实验结果显示,所提算法在生成速度上和Xue的快速算法是可比的,而生成质量更好。通过采用KLD作为弧标号相似性测度,生成混淆网络的质量得到了进一步提高。
视觉采样聚类方法VSC
郭伟, 王士同, 程科, 韩斌
2006, 28(4): 597-602.  刊出日期:2006-04-19
关键词: 聚类;视觉采样;Weber定律;聚类有效性
基于视觉采样原理,该文提出了一般化的视觉采样聚类方法VSC。该方法将视觉原理与著名的Weber定律结合起来,其特点是:对聚类初始条件不敏感;Weber定律提供了新的聚类有效性标准,并且该方法所得到的合理的聚类数可以依据Weber定律而得到。大量的实验结果表明了算法VSC的有效性。文中讨论了算法VSC与由Yang Miin-Shen等人(2004)新近提出的基于相似度量的聚类算法SCA之间的内在联系,得出了这两个算法具有一定的同解性质,从而揭示了该文所提方法VSC能够有效地克服算法SCA中参数 不易确定的困难。
一个新的多重代理多重签名方案
祁传达, 王念平, 金晨辉
2006, 28(8): 1415-1417.  刊出日期:2006-08-19
关键词: 数字签名;代理签名;多重代理;多重签名
为克服多重代理签名方案中无法确认谁是真正签名者的弱点,Sun于1999年提出了不可否认的代理签名方案。2000年Hwang等人指出Sun的方案不安全,并对Sun的方案进行了改进,2004年 Tzeng, Tan, Yang各自对Hwang等人的方案进行了安全性分析,指出Hwang方案容易受到内部伪造攻击。该文通过让原始签名组与代理签名组互动来实现秘密共享和密钥分配的方法,设计了一种新的安全的多重代理、多重签名方案,它能够满足不可否认性和不可伪造性的要求。
对一种新型代理签名方案的分析与改进
鲁荣波, 何大可, 王常吉, 缪祥华
2007, 29(10): 2529-2532. doi: 10.3724/SP.J.1146.2006.00414  刊出日期:2007-10-19
关键词: 代理签名;匿名代理签名;孤悬因子;强不可伪造性
Gu-Zhang-Yang(2005)提出了一个不需要可信第三方参与的匿名代理签名方案,由于该方案的签名验证数据中没有回避孤悬因子这一现象,因此并不满足强不可伪造性,原始签名人可以伪造一个有效的代理签名通过验证,并成功地在代理签名者身份揭示阶段向公众证明该伪造的代理签名是由合法的代理签名者产生的。本文在分析该方案安全性的基础上提出了改进的匿名代理签名方案,克服了原方案的不足。
用胶体-原子薄片模型计算W(100)-Cs吸附系统的逸出功
王宁, 王鼎盛
1986, 8(6): 408-415.  刊出日期:1986-11-19
碱或碱土金属的原子吸附于过渡金属表面时,会使后者的逸出功急剧下降。作者提出了胶体-原子薄片模型来研究这一现象。过渡金属基底用薄膜线性级加平面波(LAPW)法精确处理,而简单金属覆层则用胶体(jellium)模拟。此模型可在充分考虑构成基底的过渡金属特点的情况下,研究单原子层覆盖度以下的吸附系统的电子性质。 文中给出了计算所得W(100)面吸附Cs后的-曲线。所得逸出功极小值min=1.441.48eV与实验结果(min=1.351.55eV)吻合较好,文中还讨论了Ev参量的选择等问题。
InP/InGaAs(P)材料中的低温开管Zn扩散
李维旦, 潘慧珍
1987, 9(6): 571-576.  刊出日期:1987-11-19
为了在InP/InGaAs(P)材料中进行精确的选择扩散,同时又要保证外延生长的多层异质结构不被破坏,提出了一种新的低温开管Zn扩散方法。该法直至在T=500℃,t=5min的条件下,重复性仍很好。应用该法研究了低温条件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的扩散行为。实验首次发现,Zn在InGaAsP材料中的扩散速率与材料中P含量的平方成正比。
Si(100)和(111)面和在其上Ni分子束外延的反射高能电子衍射研究
高铭台
1987, 9(5): 420-427.  刊出日期:1987-09-19
以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)77以及它的负区衍射图,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.150.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。
BF2+注入多晶硅栅的SIMS分析
刘家璐, 张廷庆, 张正选, 赵元富
1994, 16(5): 541-544.  刊出日期:1994-09-19
关键词: 二氟化硼; 硅栅; 离子注入; 二次离子质谱仪
文本采用SIMS技术,分析了BF2+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性。结果表明,80keV,21015和51015cm-2 BF2+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO2中。F在多晶硅和SiO2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。
p-InP与Au-Zn、Ti/Au、Pd/Au和Ti/Pd/Au接触时的界面性质和电学特性
张桂成, 程宗权, 俞志中
1986, 8(4): 265-271.  刊出日期:1986-07-19
本文用俄歇电子能谱和扫描电子显微镜等方法研究了p-InP与Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接触在热处理过程中的互扩散现象.结果表明:Au较Ti、Pd易向p-InP内扩散。研究了 p-InP/Au-Zn体系的合金化条件对比接触电阻(c)的影响。在 450℃热处理12 min或在 350℃热处理30 min,均可得到较低的比接触电阻,这表明界面处的互扩散程度是决定比接触电阻的重要因素。Au-Zn合金在蒸发和热处理的过程中,Zn趋向于凝集在最表面层,而不能充分发挥它在InP中的受主作用,这是该体系的c值偏高的原因之一。
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